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1. (WO2012117212) MAGNETIC DEVICE AND METHOD FOR WRITING AND READING AN ITEM OF INFORMATION STORED IN SUCH A MAGNETIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/117212    International Application No.:    PCT/FR2012/050444
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 02.03.2012
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
DIENY, Bernard [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DIENY, Bernard; (FR)
Agent: LEBKIRI, Alexandre; Cabinet Camus Lebkiri 87 Rue Taitbout F-75009 Paris (FR)
Priority Data:
1151681 02.03.2011 FR
Title (EN) MAGNETIC DEVICE AND METHOD FOR WRITING AND READING AN ITEM OF INFORMATION STORED IN SUCH A MAGNETIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF MAGNETIQUE ET PROCEDE D'ECRITURE ET DE LECTURE D'UNE INFORMATION STOCKEE DANS UN TEL DISPOSITIF MAGNETIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a magnetic device comprising at least one memory point (1) comprising: a reference layer (2) having a variable magnetising direction; a storage layer (3) having a variable magnetising direction; a spacer (4) between the reference layer (2) and the storage layer (3); and means that can send a transverse electron current through the memory point (1). The magnetic device also comprises: a reference line (7) in contact with the reference layer (2); and injection means (8, 9) that can inject a spin-polarised electron current at each end (15, 16) of the reference line (7) in such a way as to return the magnetisation of the reference line (7) by the propagation of a magnetic wall through the reference line (7).
(FR)L'invention concerne un dispositif magnétique comportant au moins un point mémoire (1 ) comportant : - une couche de référence (2) présentant une direction d'aimantation variable; - une couche de stockage (3) présentant une direction d'aimantation variable; - un espaceur (4) entre la couche de référence (2) et la couche de stockage (3); - des moyens aptes à faire passer un courant d'électrons transversal à travers le point mémoire (1 ); Le dispositif magnétique comporte en outre : - une ligne de référence (7) en contact avec la couche de référence (2); - des moyens d'injection (8, 9) aptes à injecter un courant d'électrons polarisé en spin à chaque extrémité (15, 16) de la ligne de référence (7) de façon à retourner l'aimantation de la ligne de référence (7) par propagation d'une paroi magnétique à travers la ligne de référence (7).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)