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1. (WO2012116893) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/116893    International Application No.:    PCT/EP2012/052617
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 15.02.2012
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
LEIRER, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VOGL, Anton [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BIEBERSDORF, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HERTKORN, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TAKI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
BUTENDEICH, Rainer [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LEIRER, Christian; (DE).
VOGL, Anton; (DE).
BIEBERSDORF, Andreas; (DE).
HERTKORN, Joachim; (DE).
TAKI, Tetsuya; (JP).
BUTENDEICH, Rainer; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2011 012 925.1 03.03.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.
(EN)The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor chip, comprising the following steps: providing a growth substrate (1) in an epitaxy installation, depositing at least one intermediate layer (2) by epitaxy on the growth substrate (1), producing a structured surface (3), which faces away from the growth substrate (1), on the side of the intermediate layer (2) facing away from the growth substrate (1), depositing by epitaxy an active layer (4) on the structured surface (3), wherein the structured surface (3) is produced in the epitaxy installation and the active layer (4) follows the structuring of the structured surface (3) at least in some regions in a conformal manner or at least in some sections essentially in a conformal manner.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice optoélectronique comportant les étapes suivantes: préparation d'un substrat de croissance (1) dans une installation d'épitaxie, dépôt épitaxique d'au moins une couche intermédiaire (2) sur le substrat de croissance (1), génération d'une surface structurée (3) opposée au substrat de croissance (1) sur la face de la couche intermédiaire (2) opposée au substrat de croissance (1), dépôt épitaxique d'une couche active (4) sur la surface structurée (3), la surface structurée (3) étant créée dans l'installation d'épitaxie et la couche active (4) de la structure de la surface structurée (3) suivant au moins en partie de manière conforme ou au moins en partie de manière sensiblement conforme.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)