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1. (WO2012116887) METHOD FOR PRODUCING LIGHT DECOUPLING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR BODY AND LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR BODY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/116887    International Application No.:    PCT/EP2012/052314
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 10.02.2012
IPC:
H01L 33/20 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
ZINI, Lorenzo [IT/DE]; (DE) (For US Only).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RODE, Patrick [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ZINI, Lorenzo; (DE).
WEIMAR, Andreas; (DE).
RODE, Patrick; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Priority Data:
102011012608.2 28.02.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LICHTAUSKOPPELSTRUKTUREN IN EINEM HALBLEITERKÖRPER UND LICHT EMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER
(EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT DECOUPLING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR BODY AND LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR BODY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES DE DÉCOUPLAGE DE LUMIÈRE DANS UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET CORPS SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen (115) in einem Halbleiterkörper (1) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der eine zur Lichterzeugung geeignete aktive Zone (120) enthält. Auf einer Oberfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) wird eine Maskenschicht (3) hergestellt. Die Maskenschicht (3) weist eine Mehrzahl von Struktureinheiten (30) auf, deren Position und Größe reproduzierbar einstellbar und gezielt eingestellt ist. Die Konturen der Struktureinheiten (30) legen einen von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) fest. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) an dem von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) zur Ausbildung der Lichtauskoppelstrukturen (115) geätzt. Zudem wird ein Licht emittierender Halbleiterkörper (1) angegeben.
(EN)The invention relates to a method for producing light decoupling structures (115) in a semiconductor body (1). In one method step, the semiconductor body (1) is provided, comprising an active zone (120) suitable for generating light. A mask layer (3) is produced on a surface (111) of the semiconductor body (1). The mask layer (3) has a plurality of structural units (30), the position and size of which are reproducibly adjustable and specifically adjusted. The contours of the structural units (30) determine a sub-region (1111) of the surface (111) not covered by the mask layer (3). In a further method step, the semiconductor body (1) is etched on the sub-region (1111) of the surface (111) not covered by the mask layer (3) to form the light decoupling structures (115). The invention further relates to a light emitting semiconductor body (1).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de structures de découplage de lumière (115) dans un corps semi-conducteur (1). Dans une étape du procédé, on prend le corps semi-conducteur (1) qui contient une zone active (120) adaptée à produire de la lumière. Sur une surface (111) du corps semi-conducteur (1) est formée une couche de masque (3). La couche de masque (3) comporte une pluralité d'unités de structure (30) dont la position et la taille sont réglables de façon reproductible et réglées dans un but précis. Les contours des unités de structure (30) déterminent une zone partielle (1111) de la surface (111) non recouverte par la couche de masque (3). Au cours d'une autre étape du procédé, le corps semi-conducteur (1) est gravé sur la zone partielle (1111) de la surface (111) non recouverte par la couche de masque (3) pour former les structures de découplage de lumière (115). La présente invention concerne en outre un corps semi-conducteur (1) émettant de la lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)