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1. (WO2012116660) INDIVIDUALLY PACKAGED MAGNETORESISTANCE ANGLE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/116660    International Application No.:    PCT/CN2012/071889
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 02.03.2012
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), G01B 7/30 (2006.01), G01D 5/16 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: JIANGSU MULTIDIMENSIONAL TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; No. 8 Guangdong Road, Free Trade Zone Zhangjiagang, Jiangsu 215600 (CN) (For All Designated States Except US).
DEAK, James Geza [US/CN]; (CN) (For US Only).
SHEN, Weifeng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Jianguo [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Xiaojun [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LEI, Xiaofeng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
JIN, Insik [US/CN]; (CN) (For US Only).
XUE, Songsheng [US/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: DEAK, James Geza; (CN).
SHEN, Weifeng; (CN).
WANG, Jianguo; (CN).
ZHANG, Xiaojun; (CN).
LEI, Xiaofeng; (CN).
JIN, Insik; (CN).
XUE, Songsheng; (CN)
Agent: SUZHOU CREATOR PATENT & TRADEMARK AGENCY LTD.; No.93 Ganjiang West Road Suzhou, Jiangsu 215002 (CN)
Priority Data:
201110050704.6 03.03.2011 CN
Title (EN) INDIVIDUALLY PACKAGED MAGNETORESISTANCE ANGLE SENSOR
(FR) DÉTECTEUR D'ANGLE À MAGNÉTORÉSISTANCE SOUS BOÎTIER INDIVIDUEL
(ZH) 独立封装的磁电阻角度传感器
Abstract: front page image
(EN)An individually packaged magnetoresistance angle sensor (20) for use in measuring angles in a magnetic field. The magnetoresistance angle sensor (20) comprises a pair of magnetoresistance sensor films (61, 62), wherein one of the films is arranged at a 180-degree rotation relative to the other. The magnetoresistance sensor films (61, 62) are attached to a standard semiconductor package lead frame to form a single-axis push-pull full-bridge sensor. Each of the magnetoresistance sensor films (61, 62) comprises a pair of magnetoresistance wafers (64). Each magnetoresistance wafer comprises one or multiple GMR or MTJ sensor elements. The one or multiple GMR of MTF sensor elements is composed of a spin valve. The element blocks of the magnetoresistance sensor are bound and connected by means of package leads, and can be packaged into various standard semiconductor package designs or packaged into low-cost semiconductor package designs. Also provided is a dual-axis push-pull full-bridge sensor (20) comprised of two pairs of magnoresistance sensor films (84, 85, 86, 87).
(FR)L'invention porte sur un détecteur d'angle à magnétorésistance sous boîtier individuel (20) destiné à être utilisé pour la mesure des angles dans un champ magnétique. Le détecteur d'angle à magnétorésistance (20) comprend une paire de films détecteurs à magnétorésistance (61, 62), chacun des films étant décalé en rotation de 180 degrés par rapport à l'autre. Les films détecteurs à magnétorésistance (61, 62) sont fixés à un cadre conducteur de boîtier de semi-conducteur standard pour former un détecteur à pont complet, push-pull à un axe. Chacun des films détecteurs à magnétorésistance (61, 62) comprend deux tranches à magnétorésistance (64). Chaque tranche à magnétorésistance comprend un ou plusieurs éléments de détecteur GMR ou MTJ. Le GMR unique ou multiple d'éléments détecteurs MTF est composé d'une valve tournante. Les blocs d'éléments du détecteur à magnétorésistance sont soudés et connectés à l'aide de conducteurs du boîtier et peuvent être enfermés dans différents types de boîtiers de semi-conducteur standards ou enfermés dans des types de boîtiers de semi-conducteur bon marché. L'invention porte aussi sur un détecteur à pont complet (20) push-pull à deux axes composés de deux paires de films détecteurs à magnétorésistance (84, 85, 86, 87).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)