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1. (WO2012116657) PUSH-PULL BRIDGE MAGNETORESISTANCE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/116657    International Application No.:    PCT/CN2012/071854
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 02.03.2012
IPC:
G01R 33/09 (2006.01)
Applicants: JIANGSU MULTIDIMENSIONAL TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; No. 8 Guangdong Road, Free Trade Zone Zhangjiagang, Jiangsu 215600 (CN) (For All Designated States Except US).
DEAK, James Geza [US/CN]; (CN) (For US Only).
JIN, Insik [US/CN]; (CN) (For US Only).
SHEN, Weifeng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Jianguo [CN/CN]; (CN) (For US Only).
XUE, Songsheng [US/CN]; (CN) (For US Only).
LEI, Xiaofeng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Xiaojun [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LI, Dongfeng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: DEAK, James Geza; (CN).
JIN, Insik; (CN).
SHEN, Weifeng; (CN).
WANG, Jianguo; (CN).
XUE, Songsheng; (CN).
LEI, Xiaofeng; (CN).
ZHANG, Xiaojun; (CN).
LI, Dongfeng; (CN)
Agent: SUZHOU CREATOR PATENT & TRADEMARK AGENCY LTD.; No.93 Ganjiang West Road Suzhou, Jiangsu 215002 (CN)
Priority Data:
201110050705.0 03.03.2011 CN
Title (EN) PUSH-PULL BRIDGE MAGNETORESISTANCE SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE MAGNÉTORÉSISTANCE À PONT PUSH-PULL
(ZH) 推挽桥式磁电阻传感器
Abstract: front page image
(EN)A multi-chip push-pull bridge magnetoresistance sensor with a magnetic tunnel junction. The magnetoresistance sensor is formed of two or more magnetic tunnel junction sensor chips placed in a semiconductor package. Along each sensing shaft parallel to a lead frame of the semiconductor package, two sensor chips are arranged in an antiparallel manner. The sensor chips are connected to each other by using a lead bonding method to form a push-pull half-bridge or a Wheatstone bridge. The chips are bonded into any one of various standard semiconductor lead frames and packaged in a cheap standard semiconductor package.
(FR)L'invention porte sur un détecteur de magnétorésistance à pont push-pull multipuce comprenant une jonction tunnel magnétique. Le détecteur de magnétorésistance est formé de deux ou plus de deux puces détecteurs à jonction tunnel magnétique placées dans un bloc à semi-conducteurs. Deux puces de détecteur sont agencées en antiparallèle le long de chaque tronc de détection parallèle à un cadre conducteur du boîtier de semi-conducteur. Les puces de détecteur sont connectées entre elles par un procédé de soudage des conducteurs pour former un demi-pont push-pull ou un pont de Wheatstone. Les puces sont soudées sur l'un de différents cadres semi-conducteurs standards et montées dans un boîtier de semi-conducteur standard bon marché.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)