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1. (WO2012115924) APPARATUS AND METHOD FOR SEQUENTIALLY RESETTING ELEMENTS OF A MAGNETIC SENSOR ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115924    International Application No.:    PCT/US2012/025858
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 21.02.2012
IPC:
G01R 33/02 (2006.01)
Applicants: EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1300 N. Alma School Rd. Chandler, Arizona 85224 (US) (For All Designated States Except US).
ENGEL, Bradley [US/US]; (US) (For US Only).
MATHER, Phillip [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ENGEL, Bradley; (US).
MATHER, Phillip; (US)
Agent: KOCH, William E.; 7010 E. Cochise Rd. Scottsdale, Arizona 85253 (US)
Priority Data:
13/031,558 21.02.2011 US
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR SEQUENTIALLY RESETTING ELEMENTS OF A MAGNETIC SENSOR ARRAY
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE RÉTABLISSEMENT SÉQUENTIEL DES ÉLÉMENTS D'UN RÉSEAU DE CAPTEURS MAGNÉTIQUES
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor process and apparatus provide a high-performance magnetic field sensor with three differential sensor configurations which require only two distinct pinning axes, where each differential sensor is formed from a Wheatstone bridge structure with four unshielded magnetic tunnel junction sensor arrays, each of which includes a magnetic field pulse generator for selectively applying a field pulse to stabilize or restore the easy axis magnetization of the sense layers to orient the magnetization in the correct configuration. prior to measurements of small magnetic fields. The field pulse is sequentially applied to groups of the sense layers of the Wheatstone bridge structures, thereby allowing for a higher current pulse or larger sensor array size for maximal signal to noise ratio.
(FR)Cette invention concerne un appareil à semi-conducteurs et un procédé permettant de former un capteur de champ magnétique à haute performance à trois configurations différentielles de capteur qui ne nécessitent que deux axes de piégeage distincts, chaque capteur différentiel étant constitué d'une structure en pont de Wheatstone avec quatre réseaux de capteurs non blindés à jonctions tunnel magnétiques, chacun d'entre eux comprenant un générateur d'impulsion de champ magnétique pour appliquer sélectivement une impulsion de champ afin de stabiliser ou rétablir la magnétisation des couches sensibles le long de l'axe aisé afin d'orienter la magnétisation dans la bonne configuration avant de mesurer de petits champs magnétiques. L'impulsion de champ est séquentiellement appliquée à des groupes de couches sensibles des structures en pont de Wheatstone, permettant ainsi d'obtenir une plus grande impulsion de courant ou un réseau de capteurs plus grand pour un rapport signal sur bruit maximal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)