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1. (WO2012115838) PSEUDOMORPHIC WINDOW LAYER FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115838    International Application No.:    PCT/US2012/025307
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 15.02.2012
IPC:
H01L 31/00 (2006.01)
Applicants: SOLAR JUNCTION CORPORATION [US/US]; 401 Charcot Ave. San Jose, California 95131 (US) (For All Designated States Except US).
JONES-ALBERTUS, Rebecca E. [US/US]; (US) (For US Only).
ARIAS, Ferran Suarez [ES/US]; (US) (For US Only).
WIEMER, Michael West [US/US]; (US) (For US Only).
SHELDON, Michael J. [US/US]; (US) (For US Only).
YUEN, Homan B. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JONES-ALBERTUS, Rebecca E.; (US).
ARIAS, Ferran Suarez; (US).
WIEMER, Michael West; (US).
SHELDON, Michael J.; (US).
YUEN, Homan B.; (US)
Agent: ALLEN, Kenneth R.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Two Embarcadero Center, Eighth Floor San Francisco, California 94111-3834 (US)
Priority Data:
61/446,704 25.02.2011 US
13/370,500 10.02.2012 US
Title (EN) PSEUDOMORPHIC WINDOW LAYER FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELLS
(FR) COUCHE FENÊTRE PSEUDOMORPHIQUE POUR CELLULES SOLAIRES MULTI-JONCTIONS
Abstract: front page image
(EN)Photovoltaic cells with one or more subcells are provided with a wide band gap, pseudomorphic window layer of at least 15 nm in thickness and with an intrinsic material lattice constant that differs by at least 1% from an adjacent emitter layer. This window layer has a higher band gap than a window layer with substantially the same intrinsic material lattice constant as the adjacent emitter layer, which increases the light transmission through the window, thereby increasing the current generation in the solar cell. The quality of being pseudomorphic material preserves a good interface between the window and the emitter, reducing the minority carrier surface recombination velocity. A method is provided for building a wide band gap, pseudomorphic window layer of a photovoltaic cell that has an intrinsic material lattice constant that differs by at least 1% from the adjacent emitter layer.
(FR)Cette invention concerne des cellules photovoltaïques comprenant une ou plusieurs sous-cellules et présentant une bande interdite large, une couche fenêtre pseudomorphique d'une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm et une constante du réseau du matériau intrinsèque qui diffère d'au moins 1 % par rapport à une couche émettrice adjacente. Ladite couche fenêtre présente une bande interdite plus large qu'une couche fenêtre dont la constante du réseau du matériau intrinsèque est sensiblement identique à celle de la couche émettrice adjacente, ce qui accroît la transmission de lumière à travers la fenêtre, augmentant ainsi la génération de courant dans la cellule solaire. La caractéristique pseudomorphique du matériau assure une bonne interface entre la fenêtre et la couche émettrice, réduisant la vitesse de recombinaison en surface du porteur de charge minoritaire. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une couche fenêtre pseudomorphique à bande interdite large pour cellule photovoltaïque, présentant une constante du réseau du matériau intrinsèque qui diffère d'au moins 1 % par rapport à la couche émettrice adjacente.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)