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1. (WO2012115750) REMOTELY-EXCITED FLUORINE AND WATER VAPOR ETCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115750    International Application No.:    PCT/US2012/023356
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 31.01.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Jingchun [CN/US]; (US) (For US Only).
WANG, Anchuan [CN/US]; (US) (For US Only).
INGLE, Nitin K. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Jingchun; (US).
WANG, Anchuan; (US).
INGLE, Nitin K.; (US)
Agent: BERNARD, Eugene J.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, California 94111 (US)
Priority Data:
61/445,295 22.02.2011 US
13/232,079 14.09.2011 US
Title (EN) REMOTELY-EXCITED FLUORINE AND WATER VAPOR ETCH
(FR) GRAVURE AU FLUOR EXCITÉ À DISTANCE ET À LA VAPEUR D'EAU
Abstract: front page image
(EN)A method of etching exposed silicon oxide on patterned heterogeneous structures is described and includes a remote plasma etch formed from a fluorine-containing precursor. Plasma effluents from the remote plasma are flowed into a substrate processing region where the plasma effluents combine with water vapor. The chemical reaction resulting from the combination produces reactants which etch the patterned heterogeneous structures to produce, in embodiments, a thin residual structure exhibiting little deformation. The methods may be used to conformally trim silicon oxide while removing little or no silicon, polysilicon, silicon nitride, titanium or titanium nitride. In an exemplary embodiment, the etch processes described herein have been found to remove mold oxide around a thin cylindrical conducting structure without causing the cylindrical structure to significantly deform.
(FR)La présente invention a pour objet un procédé de gravure d'oxyde de silicium exposé sur des structures hétérogènes à motifs, lequel comprend une gravure par plasma distant formée à partir d'un précurseur contenant du fluor. On fait s'écouler des effluents de plasma provenant du plasma distant dans une région de traitement de substrat où les effluents de plasma se combinent avec de la vapeur d'eau. La réaction chimique résultant de la combinaison produit des réactifs qui gravent les structures hétérogènes à motifs pour produire, dans des modes de réalisation, une structure résiduelle fine présentant peu de déformation. Les procédés peuvent être utilisés pour tailler de manière conforme l'oxyde de silicium tout en ne retirant que peu ou pas de silicium, de polysilicium, de nitrure de silicium, de titane ou de nitrure de titane. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, on a trouvé que les procédés de gravure selon la présente invention éliminaient l'oxyde moulé autour d'une structure conductrice cylindrique fine sans provoquer la déformation significative de la structure cylindrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)