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1. (WO2012115744) IMPROVED WRITE BANDWIDTH IN A MEMORY CHARACTERIZED BY A VARIABLE WRITE TIME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115744    International Application No.:    PCT/US2012/022823
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 27.01.2012
IPC:
G06F 13/00 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
BIVENS, John A. [US/US]; (US) (For US Only).
FRANCESCHINI, Michele M. [IT/US]; (US) (For US Only).
LASTRAS-MONTANO, Luis A. [MX/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BIVENS, John A.; (US).
FRANCESCHINI, Michele M.; (US).
LASTRAS-MONTANO, Luis A.; (US)
Agent: BARRY, Anne Davis; CANTOR COLBURN LLP 20 Church St., 22nd Floor Hartford, Connecticut 06103-3207 (US)
Priority Data:
13/034,936 25.02.2011 US
Title (EN) IMPROVED WRITE BANDWIDTH IN A MEMORY CHARACTERIZED BY A VARIABLE WRITE TIME
(FR) BANDE PASSANTE D'ÉCRITURE AMÉLIORÉE DANS UNE MÉMOIRE CARACTÉRISÉE PAR UN TEMPS D'ÉCRITURE VARIABLE
Abstract: front page image
(EN)A memory system that includes a plurality of memory arrays having memory cells characterized by a variable write time. The memory system also includes a memory bus configured to receive write commands, and a plurality of data buffers configured to communicate with the memory arrays. The memory system further includes an address buffer configured to communicate with the memory arrays to store the write addresses. A mechanism configured to receive a write command and to split a data line received with the write command into a number of parts is also included in the memory system. The parts of the data line are stored in different data buffers and the writing of the parts of the data line to memory arrays at the write address is initiated. The write command is completed when write completion signals specifying the write address have been received from all of the memory arrays.
(FR)L'invention porte sur un système de mémoire qui comprend une pluralité de matrices de mémoire comprenant des cellules de mémoire caractérisées par un temps d'écriture variable. Le système de mémoire comprend également un bus de mémoire configuré pour recevoir des instructions d'écriture, et une pluralité de tampons de données configurés pour communiquer avec les matrices de mémoire. Le système de mémoire comprend en outre un tampon d'adresse configuré pour communiquer avec les matrices de mémoire afin de stocker les adresses d'écriture. Un mécanisme configuré pour recevoir une instruction d'écriture et pour diviser une ligne de données reçue avec l'instruction d'écriture en un certain nombre de parties est également compris dans le système de mémoire. Les parties de la ligne de données sont stockées dans des tampons de données différents et l'écriture des parties de la ligne de données dans des matrices de mémoire à l'adresse d'écriture est déclenchée. L'instruction d'écriture est achevée lorsque des signaux d'achèvement d'écriture spécifiant l'adresse d'écriture ont été reçus en provenance de toutes les matrices de mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)