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1. (WO2012115681) AMBIENT LAMINAR GAS FLOW DISTRIBUTION IN LASER PROCESSING SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115681    International Application No.:    PCT/US2011/045968
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 29.07.2011
IPC:
H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
MOFFATT, Stephen [GB/GB]; (GB) (For US Only).
HUNTER, Aaron Muir [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MOFFATT, Stephen; (GB).
HUNTER, Aaron Muir; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/444,973 21.02.2011 US
Title (EN) AMBIENT LAMINAR GAS FLOW DISTRIBUTION IN LASER PROCESSING SYSTEMS
(FR) DISTRIBUTION D'ÉCOULEMENT DE GAZ LAMINAIRE AMBIANT DANS DES SYSTÈMES DE TRAITEMENT AU LASER
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for annealing semiconductor substrates is disclosed. The apparatus has an annealing energy source and a substrate support, with a shield member disposed between the annealing energy source and the substrate support. The shield member is a substantially flat member having a dimension larger than a substrate processed on the substrate support, with a window covering a central opening in the substantially flat member. The central opening has a gas inlet portal and a gas outlet portal, each in fluid communication with a gas inlet plenum and gas outlet plenum, respectively. A connection member is disposed around the central opening and holds the window over the central opening. Connection openings in the connection member are in fluid communication with the gas inlet plenum and gas outlet plenum, respectively, through a gas inlet conduit and a gas outlet conduit formed through the connection member.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil de recuit de substrats à semi-conducteur. L'appareil comprend une source d'énergie de recuit et un support de substrat, un élément protecteur étant disposé entre la source d'énergie de recuit et le support de substrat. L'élément de protection est un élément sensiblement plat présentant une dimension supérieure à celle d'un substrat traité sur le support de substrat, une fenêtre recouvrant une ouverture centrale dans l'élément sensiblement plat. L'ouverture centrale présente un portail d'entrée de gaz et un portail de sortie de gaz, chacun en communication fluidique avec un plénum d'entrée de gaz et un plénum de sortie de gaz, respectivement. Un élément de liaison est disposé autour de l'ouverture centrale et retient la fenêtre au-dessus de l'ouverture centrale. Des ouvertures de liaison dans l'élément de liaison sont en communication fluidique avec le plénum d'entrée de gaz et le plénum de sortie de gaz, respectivement, par l'intermédiaire d'une conduite d'entrée de gaz et d'une conduite de sortie de gaz formées à travers l'élément de liaison.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)