WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012115267) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115267    International Application No.:    PCT/JP2012/054771
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 27.02.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (For All Designated States Except US).
ARANAMI, Jyunji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOTA, Yuuko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SANO, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ARANAMI, Jyunji; (JP).
YOKOTA, Yuuko; (JP).
SANO, Hirotaka; (JP)
Priority Data:
2011-040261 25.02.2011 JP
2011-164178 27.07.2011 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] When many electrons existing in a transparent electrode are close to holes in a light-absorbing layer, defects on a PN joint interface may increase over time. [Solution] A photoelectric conversion element is provided with: a lower electrode layer; a light-absorbing layer that is provided on the lower electrode layer and includes a compound semiconductor capable of photoelectric conversion; a semiconductor layer that is provided on the light-absorbing layer; and an upper electrode layer that is provided on the semiconductor layer and has lower electric resistivity than the semiconductor layer. The semiconductor layer includes a porous layer region having many pores on the upper electrode layer side thereof.
(FR)Lorsque de nombreux électrons présents dans une électrode transparente se trouvent à proximité de trous dans une couche absorbant la lumière, le nombre de défectuosités à l'interface de la jonction PN peut augmenter avec le temps. La solution proposée dans le cadre de cette invention consiste à utiliser un élément de conversion photoélectrique comprenant : une couche électrode inférieure; une couche d'absorption de la lumière disposée sur la couche électrode inférieure et comprenant un semi-conducteur composite capable de conversion photoélectrique; une couche semi-conductrice qui est disposée sur la couche d'absorption de la lumière; et une couche électrode supérieure qui est disposée sur la couche semi-conductrice et dont la résistivité électrique est inférieure à celle de cette couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice présente une structure comportant une région de couche poreuse présentant de nombreux pores sur le côté couche électrode supérieure.
(JA)【課題】透明電極に存在する多数の電子が、光吸収層のホールに近いと、経年変化でpn接合界面での欠陥が増加する場合があった。 【解決手段】下部電極層と、この下部電極層上に設けられた、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、この光吸収層上に設けられた半導体層と、この半導体層上に設けられた、この半導体層よりも抵抗率が低い上部電極層とを有する光電変換素子であって、前記半導体層は、前記上部電極層側に、多数の空孔を有する多孔質層領域を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)