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1. (WO2012115265) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115265    International Application No.:    PCT/JP2012/054765
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 27.02.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho Fushimi-ku, kyoto-shi Kyoto 6128501 (JP) (For All Designated States Except US).
ARANAMI, Jyunji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOTA, Yuuko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SANO, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OOMAE, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ARANAMI, Jyunji; (JP).
YOKOTA, Yuuko; (JP).
SANO, Hirotaka; (JP).
OOMAE, Satoshi; (JP)
Priority Data:
2011-040260 25.02.2011 JP
2011-164179 27.07.2011 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To raise the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric conversion element and a photoelectric conversion device. [Solution] A photoelectric conversion element is provided with: a lower electrode layer; a light-absorbing layer that is provided on the lower electrode layer and includes a compound semiconductor capable of photoelectric conversion; a semiconductor layer that is provided on the light-absorbing layer; and an upper electrode layer that is provided on the semiconductor layer and has lower electric resistivity than the semiconductor layer. The semiconductor layer has a structure including many fuzzy sections on a layer region on the upper electrode layer side.
(FR)L'invention concerne l'augmentation d'efficacité de la conversion photoélectrique d'un élément de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique. A cette fin, on utilise un élément de conversion photoélectrique comprenant : une couche électrode inférieure ; une couche d'absorption de lumière disposée sur la couche électrode inférieure et comprenant un semi-conducteur composite capable de conversion photoélectrique ; une couche semi-conductrice qui est disposée sur la couche d'absorption de la lumière ; et une couche électrode supérieure qui est disposée sur la couche semi-conductrice et dont la résistivité électrique est inférieure à celle de la couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice présente une structure comportant de nombreuses s parties floues dans une région de couche sur le côté couche électrode supérieure.
(JA)【課題】光電変換素子および光電変換装置の光電変換効率を高めること。 【解決手段】下部電極層と、この下部電極層上に設けられた、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、この光吸収層上に設けられた半導体層と、この半導体層上に設けられた、この半導体層よりも電気抵抗率が低い上部電極層とを有する光電変換素子であって、前記半導体層は、前記上部電極層側の層領域に、毛羽立ったような多数の毛羽状部を有する構造であること。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)