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1. (WO2012115170) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115170    International Application No.:    PCT/JP2012/054325
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 22.02.2012
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: Hitachi Kokusai Electric Inc. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (For All Designated States Except US).
SAIDO, Shuhei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Takafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAIDO, Shuhei; (JP).
HARA, Daisuke; (JP).
SASAKI, Takafumi; (JP)
Agent: NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2011-038813 24.02.2011 JP
Title (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is provided with: a processing chamber that houses a substrate; a heating unit that is provided in a manner so as to enclose a substrate housing region in the processing chamber; a gas nozzle that is provided on the inner side of the heating unit and that supplies processing gas to the substrate housing region; and a gas heating mechanism that is provided on the inner side of the heating unit and that supplies processing gas into the gas nozzle from the upstream side of the gas nozzle. The ratio of the flow path circumference to the flow path cross sectional area in the gas flow path of the gas heating mechanism is configured in a manner so as to be larger than the ratio of the flow path circumference to the flow path cross sectional area in the gas flow path of the gas nozzle.
(FR)La présente invention comprend : une chambre de traitement, qui loge un substrat ; une unité de chauffage, qui est disposée de manière à renfermer une région de logement de substrat dans la chambre de traitement ; une buse pour gaz, qui est disposée sur le côté interne de l'unité de chauffage, et qui alimente en gaz de traitement la région de logement de substrat ; et un mécanisme de chauffage des gaz, qui est disposé sur le côté interne de l'unité de chauffage, et qui envoie le gaz de traitement dans la buse pour gaz à partir du côté amont de la buse pour gaz. Le rapport entre la circonférence du chemin d'écoulement et la surface transversale du chemin d'écoulement dans le chemin d'écoulement des gaz du mécanisme de chauffage des gaz est configuré de manière à être supérieur au rapport entre la circonférence du chemin d'écoulement et la surface transversale du chemin d'écoulement dans le chemin d'écoulement des gaz de la buse pour gaz.
(JA) 基板を収容する処理室と、処理室内で基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、加熱部の内側に設けられ、基板の収容領域に処理ガスを供給するガスノズルと、加熱部の内側に設けられ、ガスノズルの上流側からガスノズル内に処理ガスを供給するガス加熱機構と、を備え、ガス加熱機構のガス流路における流路断面積に対する流路周長の比率が、ガスノズルのガス流路における流路断面積に対する流路周長の比率よりも大きく構成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)