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1. (WO2012115165) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115165    International Application No.:    PCT/JP2012/054314
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 22.02.2012
IPC:
H05K 3/22 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMIZU Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITOH Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMIZU Masahiro; (JP).
ITOH Hitoshi; (JP)
Agent: TAKAYAMA Hiroshi; Sangenjaya Horisho Bldg. 2F, 1-12-39 Taishido, Setagaya-ku, Tokyo 1540004 (JP)
Priority Data:
2011-040117 25.02.2011 JP
2011-211512 27.09.2011 JP
2011-211513 27.09.2011 JP
Title (EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM
(JA) 膜形成方法および膜形成装置
Abstract: front page image
(EN)Apply, on a plastic substrate, a coating composition containing film components, and form a coating film; irradiate electromagnetic waves on the coating film, dry and/or modify the coating film, and form a film. The film can be a conductor film, a semi-conductor film or a dielectric film. When forming a conductor film, a coating composition containing metallic nanoparticles is used; when forming a semi-conductor film, an organic semi-conductor material is used as the coating composition; and when forming a dielectric film, an organic dielectric material is used as the coating composition.
(FR)On applique, sur un substrat en matière plastique, une composition de revêtement contenant des composants de film, et on forme un film de revêtement ; on irradie des ondes électromagnétiques sur le film de revêtement, on sèche et/ou on modifie le film de revêtement, et on forme un film. Le film peut être un film conducteur, un film semi-conducteur ou un film diélectrique. Lors de la formation d'un film conducteur, une composition de revêtement contenant des nanoparticules métalliques est utilisée ; lors de la formation d'un film semi-conducteur, un matériau semi-conducteur organique est utilisé en tant que composition de revêtement ; et lors de la formation d'un film diélectrique, un matériau diélectrique organique est utilisé en tant que composition de revêtement.
(JA) プラスチック基板上に膜成分を含む塗布組成物を塗布して塗布膜を形成し、その塗布膜に電磁波を照射して塗布膜を乾燥および/または改質し、膜を形成する。膜としては導電体膜、半導体膜、誘電体膜を挙げることができ、導電体膜を形成する際には金属ナノ粒子を含む塗布組成物を用い、半導体膜を形成する際には塗布組成物として有機半導体材料を用い、誘電体膜を形成する際には塗布組成物として有機誘電体材料を用いる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)