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1. (WO2012115076) CONDUCTIVE PARTICLE, CONDUCTIVE PARTICLE MANUFACTURING METHOD, ANISOTROPIC CONDUCTIVE MATERIAL, AND CONNECTIVE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115076    International Application No.:    PCT/JP2012/054050
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 21.02.2012
IPC:
H01B 5/00 (2006.01), H01B 5/16 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01R 11/01 (2006.01)
Applicants: SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP) (For All Designated States Except US).
WANG, Xiaoge [CN/JP]; (JP) (For US Only).
HASEGAWA, Kayo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAHARA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WANG, Xiaoge; (JP).
HASEGAWA, Kayo; (JP).
SAHARA, Takashi; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2011-037134 23.02.2011 JP
Title (EN) CONDUCTIVE PARTICLE, CONDUCTIVE PARTICLE MANUFACTURING METHOD, ANISOTROPIC CONDUCTIVE MATERIAL, AND CONNECTIVE STRUCTURE
(FR) PARTICULE CONDUCTRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PARTICULE CONDUCTRICE, MATÉRIAU CONDUCTEUR ANISOTROPE, ET STRUCTURE DE CONNEXION
(JA) 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、異方性導電材料及び接続構造体
Abstract: front page image
(EN)Provided are a conductive particle and a conductive particle manufacturing method, whereby desirable conductivity is maintained between electrodes and unexpected malfunctions in a connective structure are alleviated even when exposed to extreme conditions. A conductive particle (1) according to the present invention comprises a substrate particle (2), and a conductive layer (3) which is disposed on the obverse face of the substrate particle (2). The conductive layer (3) further comprises a nickel layer (11) which is disposed on the obverse face of the substrate particle (2). Alkali metal content in the nickel layer (11) overall exceeds 0μg/g. Alkali metal content in a 30nm thickness region of the exterior obverse face of the nickel layer (11) is 80μg/g or less. In the conductive particle manufacturing method according to the present invention, an electroless plating reaction is ended and the conductive particle (1) is obtained when the concentration of alkali metal ions (mol/L) in an electroless plating solution when the electroless plating reaction is completed is 4 times or less the concentration of nickel ions (mol/L) in the electroless plating solution.
(FR)Cette invention concerne une particule conductrice et un procédé de fabrication de particule conductrice permettant de maintenir une conductivité souhaitée entre électrodes et de réduire les dysfonctionnements inattendus dans une structure de connexion, même quand elle est exposée à des conditions extrêmes. Une particule conductrice (1) selon l'invention comprend une particule substrat (2), et une couche conductrice (3) disposée sur la face arrière de la particule substrat (2). Ladite couche conductrice (3) comprend en outre une couche de nickel (11) disposée sur la face arrière de la particule substrat (2). La teneur totale en métaux alcalins de la couche de nickel (11) est supérieure à 0μg/g. La teneur en métaux alcalins dans une région d'épaisseur égale à 30 nm appartenant à la face inverse extérieure de la couche de nickel (11) est inférieure ou égale à 80μg/g. Dans le procédé de fabrication de particule conductrice de l'invention, une réaction de dépôt autocatalytique est arrêtée et la particule conductrice (1) est obtenue quand la concentration en ions de métal alcalin (en moles/L) dans une solution de dépôt autocatalytique quand la réaction de dépôt autocatalytique est achevée, est inférieure ou égale à quatre fois la concentration en ions de nickel (en moles/L) dans ladite solution de dépôt autocatalytique.
(JA) 過酷な条件に晒されても、電極間の導通を良好に維持するとともに、接続構造体における不測の誤動作をも抑制する導電性粒子及び導電性粒子の製造方法を提供する。 本発明に係る導電性粒子1は、基材粒子2と、該基材粒子2の表面上に設けられた導電層3を備える。導電層3は、基材粒子2の表面上に設けられたニッケル層11を有する。ニッケル層11全体におけるアルカリ金属の含有量は0μg/gを超える。ニッケル層11の外表面の厚み30nmの領域におけるアルカリ金属の含有量は、80μg/g以下である。本発明に係る導電性粒子の製造方法では、無電解めっき反応終了時の上記無電解めっき液中のアルカリ金属イオン濃度(mol/L)が、上記無電解めっき液中のニッケルイオン濃度(mol/L)の4倍以下であるときに、無電解めっき反応を終了させて、導電性粒子1を得る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)