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1. (WO2012115063) POSITIVE-CHARACTERISTIC THERMISTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/115063    International Application No.:    PCT/JP2012/054027
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 21.02.2012
IPC:
H01C 7/02 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
GOTO, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUNAGA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: GOTO, Masato; (JP).
YOSHIDA, Kenji; (JP).
MATSUNAGA, Tatsuya; (JP)
Priority Data:
2011-038763 24.02.2011 JP
2012-022122 03.02.2012 JP
Title (EN) POSITIVE-CHARACTERISTIC THERMISTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE THERMISTANCE À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF
(JA) 正特性サーミスタ素子
Abstract: front page image
(EN)Provided is a positive-characteristic thermistor element having excellent voltage resistance and no environmentally hazardous substances included in the principal components of a semiconductor ceramic. This positive-characteristic thermistor element (1) is provided with a semiconductor ceramic (11) containing BaTiO3 (where Ba may be partially substituted with at least one element selected from among Ca, Sr, and rare earth elements) as a principal component, and a pair of electrodes (12, 13) formed on both principal surfaces of the semiconductor ceramic (11). The positive-characteristic thermistor element (1) is characterized in that the semiconductor ceramic (11) includes a pair of outside regions (15, 16) adjacent to the pair of electrodes (12, 13), respectively; and an inside region (14) sandwiched between the pair of outside regions (15, 16), wherein the porosity of the outside regions (15, 16) is greater than the porosity of the inside region (14).
(FR)Cette invention concerne un élément de thermistance à coefficient de température positif présentant une excellente résistance à la tension et une céramique semi-conductrice dont les constituants principaux sont exempts de toute substance nuisible à l'environnement. Ledit élément de thermistance à coefficient de température positif (1) comprend une céramique semi-conductrice contenant du BaTiO3 (dans lequel le Ba peut être partiellement remplacé par au moins un élément choisi parmi le Ca, le Sr et des éléments de terres rares) en tant que constituant principal, ainsi qu'une paire d'électrodes (12, 13) formées sur les deux surfaces principales de la céramique semi-conductrice (11). L'élément de thermistance à coefficient de température positif est caractérisé en ce qu'il comprend : une paire de régions extérieures (15, 16) adjacentes à la paire d'électrodes (12, 13), respectivement ; et une région intérieure (14) prise en sandwich entre la paire de régions extérieures (15, 16). La porosité des régions extérieures (15, 16) est supérieure à celle de la région intérieure (14).
(JA) 半導体セラミックの主成分に環境負荷物質を含まずに、耐圧性の優れた正特性サーミスタ素子を提供する。 本発明に係る正特性サーミスタ素子1は、BaTiO3(ただし、Baの一部はCa、Sr、及び希土類元素のうち少なくとも1つの元素で置換しても良い)を主成分として含む半導体セラミック11と、半導体セラミック11の両主面に形成されている一対の電極12、13と、を備える正特性サーミスタ素子であって、半導体セラミック11は、一対の電極12、13とそれぞれ接する一対の外側領域15、16と、一対の外側領域15、16に挟まれている内側領域14と、を有し、外側領域15、16のポア含有率が内側領域14のポア含有率よりも大きいことを特徴としている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)