WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/114877    International Application No.:    PCT/JP2012/052861
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 08.02.2012
H01G 4/12 (2006.01), C04B 35/468 (2006.01), C04B 35/49 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMADA Kohei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WADA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAKI Keisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIOKA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIBASHI Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMADA Kohei; (JP).
WADA Hiroyuki; (JP).
ARAKI Keisuke; (JP).
YOSHIOKA Hiroyuki; (JP).
Agent: YAMAMOTO Toshinori; SHINGIJUTSU PATENT OFFICE, Room 810, Kondo-bldg., 4-12, Nishitenma 4-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Priority Data:
2011-037398 23.02.2011 JP
(JA) 積層セラミックコンデンサ
Abstract: front page image
(EN)Provided is a laminated ceramic capacitor that can suppress degradation of insulation resistance resulting from adding vanadium. Second insulating layers (20, 22) are laminated to both sides in the direction of lamination of a first insulating layer group (30) wherein first insulating layers (32, 34, 36, 38) are laminated to each other, and an inner electrode (14) is disposed at the primary surfaces of the first insulating layers (32, 34, 36, 38). At least one (14x) of the inner electrodes (14) is disposed between first insulating layer (32) and second insulating layer (20). When at least one of Ba, Sr, and Ca is represented by "A", at least one of Ti, Zr, and Hf is represented by "B", and oxygen is represented by "O", the first and second insulating layers (32, 34, 36, 38, 20, 22) contain the perovskite-type compound represented by the chemical formula ABO3 as the primary component. Of the first and second insulating layers (32, 34, 36, 38, 20, 22), vanadium is only added to the first insulating layers (32, 34, 36, 38).
(FR)La présente invention se rapporte à un condensateur céramique stratifié qui peut supprimer la dégradation de la résistance d'isolation consécutive à l'ajout de vanadium. Des secondes couches isolantes (20, 22) sont stratifiées sur les deux côtés dans la direction de stratification d'un premier groupe (30) de couches isolantes, les premières couches isolantes (32, 34, 36, 38) étant stratifiées les unes sur les autres, et une électrode interne (14) étant disposée au niveau des surfaces principales des premières couches isolantes (32, 34, 36, 38). Au moins une électrode interne (14x) parmi les électrodes internes (14) est disposée entre une première couche isolante (32) et une seconde couche isolante (20). Lorsque le baryum (Ba) et/ou le strontium (Sr) et/ou le calcium (Ca) sont représentés par « A », que le titane (Ti) et/ou le zirconium (Zr) et/ou le hafnium (Hf) sont représentés par « B » et que l'oxygène est représenté par « O », les première et seconde couches isolantes (32, 34, 36, 38, 20, 22) contiennent le composé de type pérovskite représenté par la formule chimique ABO3 comme composant principal. Parmi les première et seconde couches isolantes (32, 34, 36, 38, 20, 22), le vanadium est uniquement ajouté aux premières couches isolantes (32, 34, 36, 38).
(JA) バナジウムの添加による絶縁抵抗の劣化を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供する。 第1の絶縁層32,34,36,38が互いに積層された第1の絶縁層群30の積層方向両側に第2の絶縁層20,22が積層され、第1の絶縁層32,34,36,38の主面に内部電極14が配置される。内部電極14のうち少なくとも1つ14xが、第1の絶縁層32と第2の絶縁層20との間に配置される。第1及び第2の絶縁層32,34,36,38;20,22は、Ba、Sr、Caのうち少なくとも1つを"A"で表し、Ti、Zr、Hfのうち少なくとも1つを"B"で表し、酸素を"O"で表したときに、化学式"ABO"で表されるペロブスカイト系化合物を主成分とする。第1及び第2の絶縁層32,34,36,38;20,22のうち第1の絶縁層32,34,36,38のみにVが添加されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)