WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012114849) LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/114849    International Application No.:    PCT/JP2012/052478
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 03.02.2012
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
AKITA, Katsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIZUKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJII, Kei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGAI, Youichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INADA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IGUCHI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AKITA, Katsushi; (JP).
ISHIZUKA, Takashi; (JP).
FUJII, Kei; (JP).
NAGAI, Youichi; (JP).
INADA, Hiroshi; (JP).
IGUCHI, Yasuhiro; (JP)
Agent: NAKATA, Motomi; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 5540024 (JP)
Priority Data:
2011-037182 23.02.2011 JP
Title (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT PHOTORÉCEPTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 受光素子およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An object of the invention is to provide a light-receiving element, and the like, which has a sufficiently high sensitivity in the near infrared wavelength region of 1.5 to 1.8 µm and is capable of reducing dark current. A light-receiving element (10) according to the invention comprises of a buffer layer (2) disposed adjacent to the top of an InP substrate (1) and a light-receiving layer (3) disposed adjacent to the top of the buffer layer. The light receiving layer is formed of at least 50 pairs, with one pair being a first semiconductor layer (3a) having a band gap energy of 0.73 eV or less and a second semiconductor layer (3b) having a band gap energy greater than that of the first semiconductor layer. The first semiconductor layer (3a) and the second semiconductor layer (3b) form a strain-compensated quantum well structure and the thickness of each layer is between 1 nm and 10 nm.
(FR)L'invention concerne un élément photorécepteur ou similaire qui offre une sensibilité suffisamment élevée dans la région de longueur d'onde de l'infrarouge proche de 1,5 à 1,8 µm et qui est en mesure de réduire le courant d'obscurité. Un élément photorécepteur (10) selon l'invention comprend une couche tampon (2) disposée adjacente sur le dessus d'un substrat d'InP (1) et une couche photoréceptrice (3) disposée adjacente sur le dessus de la couche tampon. La couche photoréceptrice est formée d'au moins 50 paires, une paire étant une première couche semi-conductrice (3a) ayant une bande interdite de 0,73 eV ou moins et une seconde couche semi-conductrice (3b) ayant une bande interdite supérieure à celle de la première couche semi-conductrice. La première couche semi-conductrice (3a) et la seconde couche semi-conductrice (3b) forment une structure de puits quantique à compensation des contraintes et l'épaisseur de chaque couche est comprise entre 1 nm et 10 nm.
(JA) 本発明は、近赤外の波長域1.5μm~1.8μmに十分高い感度をもち、暗電流を低くできる受光素子等を提供することを目的とする。 本発明に係る受光素子(10)は、InP基板(1)上に接して位置するバッファ層(2)と、バッファ層上に接して位置する受光層(3)とを備え、受光層が、バンドギャップエネルギ0.73eV以下の第1の半導体層3aと、それよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第2の半導体層3bとを1ペアとして、50ペア以上を含み、第1の半導体層3aおよび第2の半導体層3bが歪補償量子井戸構造を形成し、厚みが両方とも1nm以上10nm以下であることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)