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1. (WO2012114713) TRANSPARENT OXIDE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/114713    International Application No.:    PCT/JP2012/001108
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 20.02.2012
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/16 (2006.01), C04B 35/453 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAGUCHI, Gou [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ZHANG, Shoubin [CN/JP]; (JP) (For US Only).
KONDOU, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMAGUCHI, Gou; (JP).
ZHANG, Shoubin; (JP).
KONDOU, Yuichi; (JP)
Agent: TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
Priority Data:
2011-040441 25.02.2011 JP
2012-030340 15.02.2012 JP
Title (EN) TRANSPARENT OXIDE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) FILM D'OXYDE TRANSPARENT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 透明酸化物膜およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a zinc oxide-based transparent oxide film which has a low refractive index and good gas barrier properties; and a process for producing the same. This transparent oxide film is amorphous, and has a composition which contains, relative to the total amount of all the metal components, 0.9 to 20.0at% of Al and 25.5 to 68.0at% of Si with the balance consisting of Zn and unavoidable impurities. In this process, DC sputtering is conducted in an inert gas atmosphere that contains oxygen and/or under such conditions that the substrate is in a heated state, using a sputtering target consisting of a sintered oxide which has a composition that contains, relative to the total amount of all the metal components, 0.3 to 4.0wt% of Al and 6.0 to 14.5wt% of Si with the balance consisting of Zn and unavoidable impurities and in which both a composite oxide, Zn2SiO4, and ZnO are present in the structure.
(FR)La présente invention concerne : un film d'oxyde transparent à base d'oxyde de zinc qui possède un faible indice de réfraction et des propriétés barrières aux gaz satisfaisantes ; et son procédé de production. Un tel film d'oxyde transparent est amorphe. Sa composition comporte, par rapport à la quantité totale de tous les composants métalliques, de 0,9 à 20,0 % at d'Al et de 25,5 à 68,0 % at de Si, le reste étant constitué de Zn et des inévitables impuretés. Dans ce procédé, une pulvérisation en courant continu est réalisée dans une atmosphère à gaz inerte qui contient de l'oxygène et/ou dans des conditions telles que le substrat est dans un état chauffé, en utilisant une cible de pulvérisation se composant d'un oxyde fritté dont la composition comporte, par rapport à la quantité totale de tous les composants métalliques, de 0,3 à 4,0 % en poids d'Al et de 6,0 à 14,5 % en poids de Si, le reste étant constitué de Zn et des inévitables impuretés, et dont la structure contient un oxyde composite, Zn2SiO4, et du ZnO.
(JA) 屈折率が低く良好なガスバリア性を有した酸化亜鉛系の透明酸化物膜およびその製造方法を提供する。透明酸化物膜が、全金属成分量に対してAl:0.9~20.0at%、Si:25.5~68.0at%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、非晶質である。この製法は、全金属成分量に対してAl:0.3~4.0wt%、Si:6.0~14.5wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物焼結体からなり、該焼結体の組織中に複合酸化物ZnSiOとZnOとが存在するスパッタリングターゲットを用い、酸素を含有させた不活性ガス雰囲気中および基板を加熱した状態の少なくとも一方の環境下で、DCスパッタする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)