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1. (WO2012114611) CLEANING GAS AND REMOTE PLASMA CLEANING METHOD USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/114611    International Application No.:    PCT/JP2011/078855
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 14.12.2011
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001 (JP) (For All Designated States Except US).
UMEZAKI, Tomonori; (For US Only).
OOMORI, Hiroyuki; (For US Only)
Inventors: UMEZAKI, Tomonori; .
OOMORI, Hiroyuki;
Agent: KOBAYASHI, Hiromichi; c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044 (JP)
Priority Data:
2011-036238 22.02.2011 JP
Title (EN) CLEANING GAS AND REMOTE PLASMA CLEANING METHOD USING SAME
(FR) GAZ DE NETTOYAGE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE PAR PLASMA À DISTANCE L'UTILISANT
(JA) クリーニングガス及びそれを用いたリモートプラズマクリーニング方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a cleaning gas that is a mixed gas comprising a compound expressed by the following formula, CFxOy (where x is 2 or 4, and y = an integer from 1 to 3 when x = 2 or y = an integer from 1 to 4 when x = 4), and N2. The cleaning gas is used to remove Si content, Ge content, or metal content deposited in a reaction chamber of a CVD device by a remote plasma cleaning method. The cleaning gas achieves a lower global warming coefficient and a faster etching speed compared with conventional cleaning gas using NF3.
(FR)L'invention porte sur un gaz de nettoyage qui est un gaz mélangé comprenant un composé représenté par la formule suivante : CFxOy (où x représente 2 ou 4 et y = un nombre entier de 1 à 3 lorsque x = 2 ou y = un nombre entier de 1 à 4 lorsque x = 4) et du N2. Le gaz de nettoyage est utilisé pour enlever une teneur en Si, une teneur en Ge ou une teneur en métal déposée dans une chambre de réaction d'un dispositif de CVD par un procédé de nettoyage par plasma à distance. Le gaz de nettoyage permet d'obtenir un coefficient de réchauffage global inférieur et une vitesse de décapage plus élevée par comparaison avec un gaz de nettoyage classique utilisant du NF3.
(JA) 本発明のクリーニングガスは、一般式CFxy[但し、xは2又は4であり、x=2のときy=1~3の整数、x=4のときy=1~4の整数を表す。]で表される化合物とN2が含有されている混合ガスであり、CVD装置の反応チャンバー内に堆積した、Si含有物、Ge含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するために用いられる。該クリーニングガスは、NF3を用いた従来のクリーニングガスと比べ、地球温暖化係数が低く、高いエッチング速度が得られる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)