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1. (WO2012114538) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MICROPHONE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/114538    International Application No.:    PCT/JP2011/056586
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 18.03.2011
IPC:
H04R 31/00 (2006.01), H04R 19/04 (2006.01)
Applicants: OMRON Corporation [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP) (For All Designated States Except US).
HORIMOTO, Yasuhiro; (For US Only).
NAKAGAWA, Yusuke; (For US Only).
INOUE, Tadashi; (For US Only).
TAKAHASHI, Toshiyuki; (For US Only)
Inventors: HORIMOTO, Yasuhiro; .
NAKAGAWA, Yusuke; .
INOUE, Tadashi; .
TAKAHASHI, Toshiyuki;
Agent: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2011-035915 22.02.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MICROPHONE
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN MICROPHONE
(JA) 半導体装置の製造方法及びマイクロフォンの製造方法
Abstract: front page image
(EN)A plurality of acoustic sensors (51) is provided on an Si wafer (73). A plurality of interposers (52) having a cavity (70), penetrating electrodes (65, 66), and the like is integrally formed using an Si wafer (74). That surface of the acoustic sensors (51) which is opposite the Si wafer (73) is joined and integrated with the interposers (52). The Si wafer (73) of the acoustic sensors (51) is then polished and the thickness of the Si wafer (73) is reduced in a state in which the acoustic sensors (51) and the interposers (52) are joined and integrated. The Si wafer (73) and the separate acoustic sensors (51), the sensors being divided into separate elements while remaining joined, are then installed in a package together with a signal processing circuit.
(FR)Selon l'invention, une pluralité de capteurs acoustiques (51) sont disposés sur une tranche de Si (73). Une pluralité d'éléments d'interposition (52) ayant une cavité (70), des électrodes pénétrantes (65, 66), et analogues, est formée de façon intégrée à l'aide d'une tranche de Si (74). La surface des capteurs acoustiques (51) qui est opposée à la tranche de Si (73) est réunie et intégrée aux éléments d'interposition (52). La tranche de Si (73) des capteurs acoustiques (51) est ensuite polie, et l'épaisseur de la tranche de Si (73) est réduite dans un état dans lequel les capteurs acoustiques (51) et les éléments d'interposition (52) sont réunis et intégrés. La tranche de Si (73) et les capteurs acoustiques séparés (51), les capteurs étant divisés en éléments séparés tout en restant réunis, sont ensuite installés dans un boîtier avec un circuit de traitement du signal.
(JA)Siウエハ73の上に複数個の音響センサ51を設ける。Siウエハ74を用いて空洞70や貫通電極65、66などを有する複数個のインターポーザ52を一体に形成する。複数個の音響センサ51の、Siウエハ73と反対側の面を複数個のインターポーザ52に接合一体化する。この後、音響センサ51とインターポーザ52が接合一体化された状態において、音響センサ51のSiウエハ73を研磨してSiウエハ73の厚みを薄くする。この後、接合されたままで1個1個に分割された単体の音響センサ51及びSiウエハ73を、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)