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1. (WO2012114393) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/114393    International Application No.:    PCT/JP2011/004217
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 26.07.2011
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
UMEDA, Hidekazu; (For US Only).
UEDA, Tetsuzo; (For US Only).
UEDA, Daisuke; (For US Only)
Inventors: UMEDA, Hidekazu; .
UEDA, Tetsuzo; .
UEDA, Daisuke;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2011-037326 23.02.2011 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) {0> DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR AU NITRURE <}0{> <0}
(JA) 窒化物半導体装置
Abstract: front page image
(EN)This nitride semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (101) and a nitride semiconductor layer (102) formed on the semiconductor substrate. The semiconductor substrate (101) comprises a normal region (101A), carrier supply region(s) (101C), and an interface current blocking region (101B). The interface current blocking region surrounds the normal region and carrier supply region(s), and the interface current blocking region and carrier supply region(s) each contain impurities. The carrier supply region(s) forms a source for supplying carriers to a carrier layer formed at the interface between the nitride semiconductor layer and the semiconductor substrate and has a conductivity type that forms an elimination destination for the carriers. The interface current blocking region is of a conductivity type that forms a potential barrier for the carriers.
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur au nitrure, comprenant un substrat semiconducteur (101) et une couche de nitrure semiconducteur (102) formée sur le substrat semiconducteur. Le substrat semiconducteur (101) comprend une région normale (101A), une ou plusieurs régions de fourniture de porteurs (101C) et une région d'interception du courant d'interface (101B). La région d'interception du courant d'interface entoure la région normale et la ou les régions de fourniture de porteurs et la région d'interception du courant d'interface et la ou les régions de fourniture de porteurs contiennent chacune des impuretés. La ou les régions de fourniture de porteurs forment une source de production de porteurs pour une couche de porteurs qui se forme à l'interface entre la couche de nitrure semiconducteur et le substrat semiconducteur et elle a un type de conductivité qui en fait une destination d'élimination pour les porteurs. La région d'interception du courant d'interface est d'un type de conductivité qui en fait une barrière de potentiel pour les porteurs.
(JA) 窒化物半導体装置は、半導体基板101と、半導体基板の上に形成された窒化物半導体層102とを備えている。半導体基板101は、通常領域101A、キャリア供給領域101C及び界面電流阻止領域101Bを有している。界面電流阻止領域は、通常領域及びキャリア供給領域を囲み、界面電流阻止領域とキャリア供給領域とは、それぞれ不純物を含む。キャリア供給領域は、窒化物半導体層と半導体基板との界面に形成されるキャリア層へのキャリアの供給源となり且つキャリアの排出先となる導電型を有する。界面電流阻止領域は、キャリアに対してポテンシャル障壁を形成する導電型を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)