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1. (WO2012113648) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/113648    International Application No.:    PCT/EP2012/052120
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 08.02.2012
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/02 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
EISENREICH, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VEIT, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: EISENREICH, Stefan; (DE).
VEIT, Thomas; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2011 011 862.4 21.02.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIPS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES OPTOÉLECTRONIQUES
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägers (2), der an einer Oberseite (2a) eine Vielzahl von aktiven Bereichen (3) aufweist, die lateral benachbart zueinander angeordnet sind, Erzeugen von unterseitigen Trennbereichen (4b) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an einer der Oberseite (2a) abgewandten Unterseite (2b) des Trägers (2), wobei die unterseitigen Trennbereiche (4b) in Projektion auf die Oberseite (2a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, Erzeugen von oberseitigen Trennbereichen (4a) durch Entfernen von Material des Trägers (2) an der Oberseite (2a) des Träger (2), wobei die oberseitigen Trennbereiche (4a) zwischen benachbarten aktiven Bereichen (3) angeordnet sind, Zertrennen des Trägers (2) zwischen einander gegenüberliegenden oberseitigen Trennbereichen (4a) und unterseitigen Trennbereichen (4b).
(EN)The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips (1), having the following steps: providing a substrate (2) that has a plurality of active regions (3) on an upper face (2a), said regions lying laterally adjacent to one another; creating lower face separating regions (4b) by removing substrate (2) material on a substrate (2) lower face (2b) that faces away from the upper face (2a), said lower face separating regions (4b) being arranged between adjacent active regions (3) in projection to the upper face (2a); creating upper face separating regions (4a) by removing substrate (2) material on the substrate (2) upper face (2a), said upper face separating regions (4a) being arranged between adjacent active regions (3); and separating the substrate (2) between opposing upper face separating regions (4a) and lower face separating regions (4b).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de puces semi-conductrices optoélectroniques (1) comprenant les étapes suivantes : la préparation d'un support (2) comportant sur une face supérieure (2a) une pluralité de zones actives (3) disposées latéralement au voisinage les unes des autres; la production de zones de séparation de face inférieure (4b) par retrait du matériau du support (2) sur une face inférieure (2b) du support (2) opposée à la face supérieure (2a), les zones de séparation de face inférieure (4b) étant disposées en projection sur la face supérieure (2a) entre des zones actives voisines (3); la production de zones de séparation de face supérieure (4a) par retrait du matériau du support (2) sur la face supérieure (2a) du support (2), les zones de séparation de face supérieure (4a) étant disposées entre des zones actives (3) voisines; la séparation du support (2) entre des zones de séparation de face supérieure (4a) et des zones de séparation de face inférieure (4b) opposées les unes aux autres.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)