WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012113411) THERMOELECTRIC COOLING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/113411    International Application No.:    PCT/EA2012/000002
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 17.02.2012
IPC:
H01L 35/32 (2006.01), H01L 35/20 (2006.01)
Applicants: OBSHESTVO S OGRANICHENNOIJ OTVETSTVENNOSTJU "ADV-ENGINEERING" [RU/RU]; 1-y Lusinovskiy per., 3B, ofis 106-107 Moscow, 119049 (RU) (For All Designated States Except US).
ABRYUTIN, Vladimir Nicolaevich [RU/RU]; (RU)
Inventors: ABRYUTIN, Vladimir Nicolaevich; (RU).
NARVA, Oleg Markovich; (RU)
Agent: DUBROVSKAYA, Victoria Vladimirovna; Leningradskoe shosse, 96/1-44 Moscow, 125195 (RU)
Priority Data:
201100403 21.02.2011 EA
Title (EN) THERMOELECTRIC COOLING APPARATUS
(FR) REFROIDISSEUR THERMOÉLECTRIQUE
(RU) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Abstract: front page image
(EN)The thermoelectric cooling apparatus is intended for converting electric energy into cold. The upper layer of thermoelements of n- and p-type conductivity is connected to a heat-absorbing substrate, and the lower layer having thermoelements of p- and n-type conductivity is connected to a heat-generating substrate. Two switching plate layers are additionally arranged between said layers, the plates being connected into a single consecutively parallel electric circuit containing thermoelectric element layers. The ratio of thermoelectric elements in the layers is 1:(0.5-2.5). The ratio of average values of the thermoelectric element resistance in the layers is 1:(1.15-1.5). Upper and lower free spaces bounded by the corresponding substrates and plates correlate in the form of (1-2):(1-1.5).
(FR)Un refroidisseur thermoélectrique est destiné à convertir l’énergie électrique en froid. La couche supérieure d’éléments thermiques à conductivité n- et p- est reliée au substrat d’absorption thermique, et la couche inférieure d’éléments thermiques à conductivité p- et n- est reliée au substrat d’émission thermique. Entre les couches on a disposé deux couches de plaques de commutation regroupées en un circuit électrique sériel et parallèle avec des couches d’éléments thermoélectriques. Le nombre d’éléments thermoélectriques dans les couches présente le rapport 1 : (0,5-2,5). Le rapport des valeurs moyennes de la résistance d’éléments thermoélectriques dans les couches est de 1 :(1,15— 1,5). Les volumes libres supérieur et inférieur, limités par des substrats correspondants et les plaques se rapportent comme (1-2) : (1-1,5).
(RU)Термоэлектрическое охлаждающее устройство предназначено для преобразования электрической энергии в холод. Верхний слой термоэлементов п- и р- типов проводимости соединен с теплопоглощающей подложкой, а нижний слой с термоэлементами р- и п- типов проводимости - с тепловыделяющей подложкой. Между слоями размещены дополнительно два слоя коммутационных пластин, соединенных в единую последовательно- параллельную электрическую цепь со слоями термоэлектрических элементов. Количества термоэлектрических элементов в слоях относятся как 1 :(0,5-2,5). Соотношение средних значений сопротивления термоэлектрических элементов в слоях составляет 1 :(1,15— 1,5). Верхний и нижний свободные объемы, ограниченные соответствующими подложками и пластинами, соотносятся как (1-2) : (1-1,5).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)