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1. (WO2012113248) COMBINED SWITCH AND SYNCHRONOUS RECTIFICATION CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/113248    International Application No.:    PCT/CN2011/082733
Publication Date: 30.08.2012 International Filing Date: 23.11.2011
IPC:
H02M 7/162 (2006.01)
Applicants: EMERSON NETWORK POWER, ENERGY SYSTEMS, NORTH AMERICA, INC. [US/US]; 1122 F Street Lorain, Ohio 44052 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Linhua [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HUANG, Liwei [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HEERDT, Frank [BR/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: WANG, Linhua; (CN).
HUANG, Liwei; (CN).
HEERDT, Frank; (CN)
Agent: LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building, No.8 Beichen Dong Street Chaoyang District, Beijing 100101 (CN)
Priority Data:
201110044783.X 22.02.2011 CN
Title (EN) COMBINED SWITCH AND SYNCHRONOUS RECTIFICATION CIRCUIT
(FR) COMMUTATEUR COMBINÉ ET CIRCUIT DE REDRESSEMENT SYNCHRONE
(ZH) 一种组合开关以及同步整流电路
Abstract: front page image
(EN)A combined switch comprises: a first transistor (S1), a second transistor (S2), a first body diode (D01), a second body diode (D02), and a first diode (D1). A cathode of the first body diode (D01) is connected to a drain of the first transistor (S1), and an anode of the first body diode (D01) is connected to a source of the first transistor (S1). A cathode of the second body diode (D02) is connected to a drain of the second transistor (S2), and an anode of the second body diode (D02) is connected to a source of the second transistor (S2). In the switch, the first transistor (S1) and the second transistor (S2) are connected in a series-opposing manner, and the first diode (D1) is connected in parallel to the first transistor (S1) and the second transistor (S2) connected in series. The combined switch can solve the problem that a conduction loss of a diode is high during general rectification or a reverse recovery loss of a body diode is high when synchronous rectification is implemented through an MOSFET and the body diode, thereby improving the efficiency of the circuit.
(FR)La présente invention a trait à un commutateur combiné qui comprend : un premier transistor (S1), un second transistor (S2), une première diode de corps (D01), une seconde diode de corps (D02) et une première diode (D1). Une cathode de la première diode de corps (D01) est connectée à un drain du premier transistor (S1) et une anode de la première diode de corps (D01) est connectée à une source du premier transistor (S1). Une cathode de la seconde diode de corps (D02) est connectée à un drain du second transistor (S2) et une anode de la seconde diode de corps (D02) est connectée à une source du second transistor (S2). Dans le commutateur, le premier transistor (S1) et le second transistor (S2) sont connectés en série soustractive et la première diode (D1) est connectée en parallèle au premier transistor (S1) et au second transistor (S2) connectés en série. Le commutateur combiné permet de résoudre le problème des pertes par effet Joule d'une diode élevées au cours d'un redressement général ou des pertes de recouvrement inverse d'une diode de corps élevées lorsqu'un redressement synchrone est mis en œuvre au moyen d'un MOSFET et de la diode de corps, ce qui permet de la sorte d'améliorer l'efficacité du circuit.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)