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1. (WO2012112937) METHOD AND SYSTEM FOR WAFER LEVEL SINGULATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112937    International Application No.:    PCT/US2012/025716
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 17.02.2012
IPC:
H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01)
Applicants: Applied Materials, Inc. [US/US]; P.O. Box 450A Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
SCHUEGRAF, Klaus [US/US]; (US) (For US Only).
RAMASWAMI, Seshadri [IN/US]; (US) (For US Only).
RICE, Michael, R. [US/US]; (US) (For US Only).
SALEK, Mohsen, S. [US/US]; (US) (For US Only).
BJORKMAN, Claes, H. [SE/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHUEGRAF, Klaus; (US).
RAMASWAMI, Seshadri; (US).
RICE, Michael, R.; (US).
SALEK, Mohsen, S.; (US).
BJORKMAN, Claes, H.; (US)
Agent: LARGENT, Craig, C.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Priority Data:
61/444,618 18.02.2011 US
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR WAFER LEVEL SINGULATION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT UNE SÉPARATION AU NIVEAU TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)A method of singulating a plurality of semiconductor dies includes providing a carrier substrate and joining a semiconductor substrate to the carrier substrate. The semiconductor substrate includes a plurality of devices. The method also includes forming a mask layer on the semiconductor substrate, exposing a predetermined portion of the mask layer to light, and processing the predetermined portion of the mask layer to form a predetermined mask pattern on the semiconductor substrate. The method further includes forming the plurality of semiconductor dies, each of the plurality of semiconductor dies being associated with the predetermined mask pattern and including one or more of the plurality of devices and separating the plurality of semiconductor dies from the carrier substrate.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de séparer une pluralité de dés semi-conducteurs. Ledit procédé consiste à utiliser un substrat de support et à unir un substrat semi-conducteur au substrat de support. Le substrat semi-conducteur comprend une pluralité de dispositifs. Le procédé consiste également à former une couche de masque sur le substrat semi-conducteur, à exposer à la lumière une partie prédéterminée de la couche de masque et à traiter la partie prédéterminée de la couche de masque pour former un motif de masque prédéterminé sur le substrat semi-conducteur. En outre, le procédé consiste à former la pluralité de dés semi-conducteurs, chaque dé semi-conducteur de la pluralité de dés semi-conducteurs étant associé au motif de masque prédéterminé et comprenant un ou plusieurs dispositifs de la pluralité de dispositifs et à séparer la pluralité de dés semi-conducteurs du substrat de support.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)