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1. (WO2012112803) COMPENSATION OF STRESS EFFECTS ON PRESSURE SENSOR COMPONENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112803    International Application No.:    PCT/US2012/025497
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 16.02.2012
IPC:
B81C 1/00 (2006.01), G01L 19/04 (2006.01), G01L 19/06 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01), G01L 1/22 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01)
Applicants: SILICON MICROSTRUCTURES, INC. [US/US]; 1701 McCarthy Boulevard Milpitas, California 95035 (US) (For All Designated States Except US).
AUGUST, Richard, J. [US/US]; (US) (For US Only).
DOELLE, Michael, B. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: AUGUST, Richard, J.; (US).
DOELLE, Michael, B.; (US)
Agent: ZIGMANT, J., Matthew; Kilpatrick Townsend & Crew LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, California 94111 (US)
Priority Data:
13/029,114 16.02.2011 US
Title (EN) COMPENSATION OF STRESS EFFECTS ON PRESSURE SENSOR COMPONENTS
(FR) COMPENSATION DES EFFETS DE CONTRAINTE SUR DES COMPOSANTS DE CAPTEUR DE PRESSION
Abstract: front page image
(EN)Pressure sensors having components with reduced variations due to stresses caused by various layers and components that are included in the manufacturing process. In one example, a first stress in a first direction causes a variation in a component. A second stress in a second direction is applied, thereby reducing the variation in the component. The first and second stresses may be caused by a polysilicon layer, while the component may be a resistor in a Wheatstone bridge.
(FR)L'invention concerne des capteurs de pression comprenant des composants avec des variations réduites dues aux contraintes provoquées par diverses couches et composants qui sont compris dans le procédé de fabrication. Dans un exemple, une première contrainte dans une première direction provoque une variation dans un composant. Une deuxième contrainte dans une deuxième direction est appliquée, en réduisant ainsi la variation dans le composant. La première et la deuxième contraintes peuvent être provoquées par une couche de polysilicium, tandis que le composant peut être une résistance dans un pont de Wheatstone.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)