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1. (WO2012112795) ENHANCED DEPOSITION OF LAYER ON SUBSTRATE USING RADICALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112795    International Application No.:    PCT/US2012/025483
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 16.02.2012
IPC:
C30B 23/00 (2006.01)
Applicants: SYNOS TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 3191 Laurelview Court Fremont, CA 94538 (US) (For All Designated States Except US).
LEE, Sang, In [KR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEE, Sang, In; (US)
Agent: AHN, Dohyun; Fenwick & West LLP Silicon Valley Center 801 California Street Mountain View, CA 94041 (US)
Priority Data:
13/397,590 15.02.2012 US
61/511,333 25.07.2011 US
61/444,651 18.02.2011 US
Title (EN) ENHANCED DEPOSITION OF LAYER ON SUBSTRATE USING RADICALS
(FR) DÉPÔT AMÉLIORÉ D'UNE COUCHE SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE DE RADICAUX
Abstract: front page image
(EN)Embodiments relate to using radicals to at different stages of deposition processes. The radicals may be generated by applying voltage across electrodes in a reactor remote from a substrate. The radicals are injected onto the substrate at different stages of molecular layer deposition (MLD), atomic layer deposition (ALD), and chemical vapor deposition (CVD) to improve characteristics of the deposited layer, enable depositing of material otherwise not feasible and/or increase the rate of deposition. Gas used for generating the radicals may include inert gas and other gases. The radicals may disassociate precursors, activate the surface of a deposited layer or cause cross-linking between deposited molecules.
(FR)La présente invention se rapporte, dans des modes de réalisation, à l'utilisation de radicaux à différents stades de procédés de dépôt. Les radicaux peuvent être générés par application d'une tension à des électrodes dans un réacteur éloigné d'un substrat. Les radicaux sont injectés sur le substrat à différents stades d'un dépôt de couches moléculaires (MLD), d'un dépôt de couches atomiques (ALD) et d'un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) afin d'améliorer les caractéristiques de la couche déposée, de permettre le dépôt d'un matériau, dépôt qui, dans d'autres circonstances, ne serait pas faisable et/ou d'augmenter la vitesse de dépôt. Le gaz utilisé pour générer les radicaux peut comprendre un gaz inerte et d'autres gaz. Les radicaux peuvent dissocier les précurseurs, activer la surface d'une couche déposée ou provoquer une réticulation entre les molécules déposées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)