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1. (WO2012112725) DEFECT-CONTROLLING STRUCTURE FOR EPITAXIAL GROWTH, LIGHT EMITTING DEVICE CONTAINING DEFECT-CONTROLLING STRUCTURE, AND METHOD OF FORMING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112725    International Application No.:    PCT/US2012/025317
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 15.02.2012
IPC:
H01L 33/12 (2010.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: INVENLUX LIMITED [--/CN]; 12/F, Ruttonjee House 11 Duddell St. Central (HK) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Jianping [US/US]; (US) (For US Only).
WANG, Hongmei [US/US]; (US) (For US Only).
YAN, Chunhui [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Jianping; (US).
WANG, Hongmei; (US).
YAN, Chunhui; (US)
Agent: HUANG, Jiawei; J.C. Patents 4 Venture, Suite 250 Irvine, CA 92618 (US)
Priority Data:
13/028,055 15.02.2011 US
Title (EN) DEFECT-CONTROLLING STRUCTURE FOR EPITAXIAL GROWTH, LIGHT EMITTING DEVICE CONTAINING DEFECT-CONTROLLING STRUCTURE, AND METHOD OF FORMING THE SAME
(FR) STRUCTURE DE CONTRÔLE DES DÉFAUTS POUR UNE CROISSANCE ÉPITAXIALE, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT CONTENANT LA STRUCTURE DE CONTRÔLE DES DÉFAUTS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CE DERNIER
Abstract: front page image
(EN)A method for reducing dislocations or other defects in a light emitting device, such as light emitting diode (LED), by in-situ introducing nanoparticles into at least one of a defect-controlling layer, an n-type layer, a p-type layer, and a quantum well of the light emitting device. A light emitting device is provided, and nanoparticles are dispensed in- situ in at least one of a defect-controlling layer, an n-type layer, a p-type layer, and a quantum well of the light emitting device.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de réduire les dislocations ou d'autres défauts dans un dispositif électroluminescent, tel qu'une diode électroluminescente (DEL), par introduction in situ de nanoparticules dans une couche de contrôle des défauts et/ou une couche de type n et/ou une couche de type p et/ou un puits quantique du dispositif électroluminescent. La présente invention se rapporte également à un dispositif électroluminescent et des nanoparticules sont distribuées in situ dans une couche de contrôle des défauts et/ou une couche de type n et/ou une couche de type p et/ou un puits quantique du dispositif électroluminescent.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)