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1. (WO2012112630) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW-CONDUCTING FIELD-CONTROLLING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112630    International Application No.:    PCT/US2012/025146
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 15.02.2012
IPC:
H01L 29/772 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Applicants: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1195 Atlas Road Columbia, SC 29209 (US) (For All Designated States Except US).
SIMIN, Grigory [US/US]; (US) (For US Only).
SHUR, Michael [US/US]; (US) (For US Only).
GASKA, Remigijus [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SIMIN, Grigory; (US).
SHUR, Michael; (US).
GASKA, Remigijus; (US)
Agent: LABATT, John W.; LaBatt LLC PO Box 630 Valatie, NY 12184 (US)
Priority Data:
61/442,821 15.02.2011 US
13/396,059 14.02.2012 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOW-CONDUCTING FIELD-CONTROLLING ELEMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AYANT UN ÉLÉMENT DE COMMANDE DE CHAMP FAIBLEMENT CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device including a low conducting field-controlling element is provided. The device can include a semiconductor including an active region, and a set of contacts to the active region. The field-controlling element can be coupled to one or more of the contacts in the set of contacts. The field-controlling element can be formed of a low conducting layer having a sheet resistance between approximately 103 Ohms per square and approximately 107 Ohms per square. During direct current and/or low frequency operation, the field-controlling element can behave similar to a metal electrode. However, during high frequency operation, the field-controlling element can behave similar to an insulator.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un élément de commande de champ faiblement conducteur. Le dispositif peut comprendre un semi-conducteur comprenant une région active et un ensemble de contacts avec la région active. L'élément de commande de champ peut être couplé à un ou plusieurs contacts de l'ensemble de contacts. L'élément de commande de champ peut être formé d'une couche conductrice qui présente une résistance de feuille comprise entre approximativement 103 Ohms par carré et approximativement 107 Ohms par carré. Pendant un fonctionnement en courant continu et/ou à basse fréquence, l'élément de commande de champ peut se comporter de façon similaire à une électrode métallique. Toutefois, pendant le fonctionnement à fréquence élevée, l'élément de commande de champ peut se comporter de façon similaire à un isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)