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1. (WO2012112516) SYSTEMS AND METHODS FOR RAPID LIQUID PHASE DEPOSITION OF FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112516    International Application No.:    PCT/US2012/025009
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 14.02.2012
IPC:
H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: NATCORE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 87 Maple Avenue Red Bank, NJ 07701 (US) (For All Designated States Except US).
KUZNETSOV, Oleg A. [US/US]; (US) (For US Only).
ZHANG, Yuanchang [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KUZNETSOV, Oleg A.; (US).
ZHANG, Yuanchang; (US)
Agent: CHIEU, Polin; Winstead PC P.O. Box 131851 Dallas, TX 75313 (US)
Priority Data:
61/442,402 14.02.2011 US
Title (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR RAPID LIQUID PHASE DEPOSITION OF FILMS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR DÉPÔT EN PHASE LIQUIDE RAPIDE DE FILMS
Abstract: front page image
(EN)A rapid liquid phase deposition (LPD) process of coating a substrate provides improved deposition rates. The LPD process may include the following steps: incubation of acids with corresponding oxides, sulfide, or selenide for a predetermined period of time; removing the undissolved oxides, sulfide, or selenide; liquid phase deposition of the oxide, sulfide, or selenide film or coating at an elevated temperature; and removing the substrate from the growth solution. Further, the growth solution can be prepared for reuse by cooling to a desired temperature and adding extra oxides, sulfides, or selenides.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dépôt en phase liquide (LPD) rapide pour le revêtement d'un substrat, offrant des rythmes de dépôt améliorés. Le procédé LPD peut comprendre les étapes suivantes : incubation d'acides avec des oxydes, un sulfure ou un séléniure correspondants pendant un laps de temps prédéterminé; retrait des oxydes, du sulfure ou du séléniure non dissous; dépôt en phase liquide du film ou du revêtement d'oxyde, de sulfure ou de séléniure à une température élevée; et retrait du substrat présent dans la solution de croissance. En outre, la solution de croissance peut être préparée en vue d'une réutilisation par refroidissement à une température souhaitée et par ajout d'oxydes, de sulfures ou de séléniures supplémentaires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)