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1. (WO2012112334) METHOD OF OPERATING FILAMENT ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112334    International Application No.:    PCT/US2012/024045
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 07.02.2012
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), B05D 3/00 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741-6500 (US) (JP only).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Tokyo, Minato-Ku, 107-6325 (JP) (For All Designated States Except US).
LEE, Eric, M. [US/US]; (US) (For US Only).
FAGUET, Jacques [FR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEE, Eric, M.; (US).
FAGUET, Jacques; (US)
Agent: DAVIDSON, Kristi L.; Wood, Herron & Evans, LLP 2700 Carew Tower 441 Vine Street Cincinnati, OH 45202-2917 (US)
Priority Data:
13/030,702 18.02.2011 US
Title (EN) METHOD OF OPERATING FILAMENT ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ D'UTILISATION D'UN SYSTÈME DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR FILAMENT
Abstract: front page image
(EN)A method of performing a filament-assisted chemical vapor deposition process is described. The method includes providing a substrate holder (220, 320, 420, 1020) in a process chamber (410) of a chemical vapor deposition system (400, 600, 1001, 2001), providing a non-ionizing heat source separate from the substrate holder (220, 320, 420, 1020) in the process chamber (410), disposing a substrate (225, 425, 1025) on the substrate holder (220, 320, 420, 1020), introducing a film forming composition (532) to the process chamber (410), thermally fragmenting the film forming composition (532) using the non-ionizing heat source, and forming a thin film on the substrate (225, 425, 1025) in the process chamber (410). The non-ionizing heat source includes a gas heating device (250, 445, 550, 645, 750, 800, 900, 1045, 2045) through and/or over which the film forming composition (532) flows. The method further includes remotely producing a reactive composition, and introducing the reactive composition to the process chamber (410) to interact with the substrate (225, 425, 1025), wherein the reactive composition is introduced sequentially and/or simultaneously with the introducing the film forming composition (532).
(FR)La présente invention concerne un procédé consistant à réaliser un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par filament. Le procédé consiste à utiliser un support de substrat (220, 320, 420, 1020) dans une chambre de traitement (410) d'un système de dépôt chimique en phase vapeur (400, 600, 1001, 2001), à utiliser une source de chaleur non ionisante séparée du support de substrat (220, 320, 420, 1020) dans la chambre de traitement (410), à disposer un substrat (225, 425, 1025) sur le support de substrat (220, 320, 420, 1020), à introduire une composition de formation de film (532) dans la chambre de traitement (410), à fragmenter par la chaleur la composition de formation de film (532) à l'aide de la source de chaleur non ionisante et à former un film mince sur le substrat (225, 425, 1025) dans la chambre de traitement (410). La source de chaleur non ionisante comprend un dispositif de chauffage de gaz (250, 445, 550, 645, 750, 800, 900, 1045, 2045) à travers duquel et/ou sur lequel s'écoule la composition de formation de film (532). Le procédé consiste en outre à produire à distance une composition réactive et à introduire la composition réactive dans la chambre de traitement (410) pour interagir avec le substrat (225, 425, 1025), la composition réactive étant introduite séquentiellement et/ou simultanément avec l'introduction de la composition de formation de film (532).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)