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1. (WO2012112187) METHOD AND APPARATUS FOR MULTIZONE PLASMA GENERATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112187    International Application No.:    PCT/US2011/045626
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 27.07.2011
IPC:
H05H 1/34 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
ROGERS, Matthew Scott [US/US]; (US) (For US Only).
HUA, Zhong Qiang [CN/US]; (US) (For US Only).
OLSEN, Christopher S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ROGERS, Matthew Scott; (US).
HUA, Zhong Qiang; (US).
OLSEN, Christopher S.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/443,066 15.02.2011 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MULTIZONE PLASMA GENERATION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE PLASMA MULTIZONE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present invention provide a method and apparatus for plasma processing a substrate to form a film on the substrate and devices disposed thereon by controlling the ratio of ions to radicals in the plasma at a given pressure. A given pressure may be maintained to promote ion production using one plasma source, and a second plasma source may be used to provide additional radicals. In one embodiment, a low pressure plasma is generated in a processing region having the substrate positioned therein, and a high pressure plasma is generated in separate region. Radicals from the high pressure plasma are injected into the processing region having the low pressure plasma, thus, altering the natural distribution of radicals to ions at a given operating pressure. The resulting process and apparatus enables tailoring of the ion to radical ratio to allow better control of forming films on high aspect ratio features, and thus improve corner rounding, conformality of sidewall to bottom trench growth, and selective growth.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé et un appareil de traitement par plasma d'un substrat, permettant de former un film sur le substrat et des dispositifs disposés au-dessus, en contrôlant le rapport entre ions et radicaux dans le plasma à une pression donnée. Une pression donnée peut être maintenue afin de favoriser la production d'ions en utilisant une source de plasma, et une seconde source de plasma peut être utilisée pour fournir des radicaux additionnels. Dans un mode de réalisation, on génère un plasma à faible pression dans une région de traitement dans laquelle est positionné le substrat, et on génère un plasma à haute pression dans une région séparée. Des radicaux provenant du plasma à haute pression sont injectés dans la région de traitement comportant le plasma à faible pression, ce qui modifie ainsi la répartition naturelle entre radicaux et ions à une pression de fonctionnement donnée. Le procédé et l'appareil selon l'invention permettent d'adapter le rapport entre ions et radicaux afin de permettre un meilleur contrôle de la formation de films sur des éléments présentant un rapport d'aspect élevé, et permettent ainsi d'améliorer l'arrondi des angles, la conformité de la croissance de la tranchée entre les parois et le fond, et la croissance sélective.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)