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1. (WO2012112137) ACOUSTIC TRANSDUCER WITH IMPEDANCE MATCHING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/112137    International Application No.:    PCT/US2011/024841
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 15.02.2011
IPC:
G01V 1/40 (2006.01)
Applicants: HALLIBURTON ENERGY SERVICES INC. [US/US]; 10200 Bellaire Blvd. Houston, Texas 77072 (US) (For All Designated States Except US).
GOODMAN, George David [US/US]; (US) (For US Only).
MAKI, Voldi, E., Jr. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GOODMAN, George David; (US).
MAKI, Voldi, E., Jr.; (US)
Agent: SPEIGHT, Howard; 12610 Trail Hollow Drive Houston, TX 77024 (US)
Priority Data:
Title (EN) ACOUSTIC TRANSDUCER WITH IMPEDANCE MATCHING LAYER
(FR) TRANSDUCTEUR ACOUSTIQUE À COUCHE D'ADAPTATION À L'IMPÉDANCE
Abstract: front page image
(EN)A device includes a piezoelectric transducer. The transducer has N independent transducer regions. N is an integer. Each of the N independent transducer regions has a thickness. Each of the N independent transducer regions has an acoustic impedance AIT. Each of the N independent transducer regions is independently excitable to oscillate in the thickness mode when electrically excited by a potential difference applied across the thickness. The device further includes a first impedance matching layer having an acoustic impedance All between AIT and a borehole fluid acoustic impedance AIBF. The first impedance matching layer is situated such that an acoustic signal emitted by the piezoelectric transducer will pass through the second impedance matching layer. The device further includes a second impedance matching layer having an acoustic impedance AI2 between All and AIBF.
(FR)La présente invention concerne un dispositif comprenant un transducteur piézoélectrique. Le transducteur comporte N régions de transducteur indépendantes. N est un nombre entier. Les N régions de transducteur indépendantes ont chacune une épaisseur. Les N régions de transducteur indépendantes comportent chacune un AIT à impédance acoustique. Les N régions de transducteur indépendantes peuvent chacune être excitées de manière indépendante de façon à osciller dans le mode épaisseur, quand elles sont électriquement excitées par une différence de potentiel appliquée à travers l'épaisseur. Le dispositif comprend en outre une première couche d'adaptation à l'impédance comportant un All à impédance acoustique entre un AIT et un AIBF à impédance acoustique de fluide de trou. La position de la première couche d'adaptation à l'impédance permet à un signal acoustique émis par le transducteur piézoélectrique de passer à travers la seconde couche d'adaptation à l'impédance. Le dispositif comprend en outre une seconde couche d'adaptation à l'impédance comportant un AI2 à impédance acoustique entre un All et un AIBF.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)