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1. (WO2012111841) LINE DEFECT DETECTION METHOD AND LINE DEFECT DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/111841    International Application No.:    PCT/JP2012/053993
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 20.02.2012
IPC:
G01R 31/00 (2006.01), G01N 23/225 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
ENDO, Masahito; (For US Only).
UEKI, Shota; (For US Only)
Inventors: ENDO, Masahito; .
UEKI, Shota;
Agent: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Priority Data:
2011-033030 18.02.2011 JP
Title (EN) LINE DEFECT DETECTION METHOD AND LINE DEFECT DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE DÉFAUTS DE LIGNE ET DÉTECTEUR DE DÉFAUTS DE LIGNE
(JA) 線欠陥検出方法及び線欠陥検出装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a line defect detection method in which a TFT array substrate is irradiated with an electron beam, a scan image of the surface potential is formed, and line defects in the TFT array are detected from the scan image. The line defect detection method is characterized by including: a step in which a scan image of the surface potential of a TFT array substrate is obtained and formed by irradiating the TFT array substrate with the electron beam; a projection processing step for adding, from the scan image, the pixel values of pixels in one direction in which the TFT array is connected; a differential processing step in which data is acquired by performing differential processing on data that has been subjected to the projection processing; a characteristic calculation step in which a first threshold is set for data subjected to the difference processing, and a characteristic value is calculated for the portions exceeding the first threshold; and a line defect detection step in which a second threshold is set for the characteristic values, and line defects are detected on the basis of the second threshold.
(FR)L'invention concerne un procédé de détection de défauts de ligne dans lequel un substrat à réseau de transistors en couches minces est irradié par un faisceau d'électrons, une image de balayage du potentiel de surface est formée et des défauts de ligne dans le réseau de transistors en couches minces sont détectés à partir de l'image de balayage. Le procédé de détection selon l'invention se caractérise en ce qu'il comprend : une étape de formation de l'image de balayage du potentiel de surface du substrat à réseau de transistors en couches minces obtenue par irradiation dudit substrat au moyen du faisceau d'électrons ; une étape de traitement de projection destinée à ajouter, à partir de l'image de balayage, les valeurs de pixels dans le sens dans lequel le réseau de transistors en couches minces est connecté ; une étape de traitement de différences dans laquelle des données sont acquises par traitement de différences effectué sur des données soumises au traitement de projection ; une étape de calcul de caractéristiques dans laquelle un premier seuil est défini pour des données soumises au traitement de différences et une valeur caractéristique est calculée pour une partie dans laquelle le premier seuil est dépassé ; et une étape de détection de défauts de ligne dans laquelle un deuxième seuil est défini pour la valeur caractéristique et des défauts de ligne sont détectés en fonction de ce deuxième seuil.
(JA) 電子ビームをTFTアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からTFTアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出方法であって、TFTアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるTFTアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する工程と、前記走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理工程と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理工程と、前記差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出工程と、前記特性値について、第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づいて線欠陥を検出する線欠陥検出工程を含むことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)