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1. (WO2012111680) LIGHT-EMITTING BODY, LIGHT-EMITTING LAYER, AND LIGHT-EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/111680    International Application No.:    PCT/JP2012/053441
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 08.02.2012
IPC:
H01L 51/50 (2006.01), C09K 11/06 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SEO, Satoshi; (For US Only).
OHSAWA, Nobuharu; (For US Only).
SHITAGAKI, Satoko; (For US Only).
INOUE, Hideko; (For US Only).
KADOMA, Hiroshi; (For US Only).
OSAKA, Harue; (For US Only).
SUZUKI, Kunihiko; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
SEO, Satoshi; .
OHSAWA, Nobuharu; .
SHITAGAKI, Satoko; .
INOUE, Hideko; .
KADOMA, Hiroshi; .
OSAKA, Harue; .
SUZUKI, Kunihiko;
Priority Data:
2011-031013 16.02.2011 JP
Title (EN) LIGHT-EMITTING BODY, LIGHT-EMITTING LAYER, AND LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) CORPS ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE, COUCHE ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
Abstract: front page image
(EN)An organic light-emitting body is provided which includes a host having a high electron-transport property (n-type host), a host having a high hole-transport property (p-type host), and a guest such as an iridium complex and in which the n-type host and the p-type host are located so as to be adjacent to each other. When an electron and a hole are injected to such a light-emitting body, the electron is trapped by the n-type host and the hole is trapped by the p-type host. Then, both the electron and the hole are injected to the guest, and thus the guest is brought into an excited state. In this process, less thermal deactivation occurs and the working rate of the guest is high; thus, highly efficient light emission can be obtained.
(FR)L'invention concerne un corps organique émettant de la lumière, qui comprend un hôte présentant une propriété élevée de transport d'électrons (hôte de type n), un hôte présentant une propriété élevée de transport de trous (hôte de type p) et un matériau d'accueil tel qu'un complexe d'iridium dans lequel l'hôte de type n et l'hôte de type p sont situés de façon à être adjacents l'un à l'autre. Lorsqu'un électron et un trou sont injectés dans un tel corps émettant de la lumière, l'électron est piégé par l'hôte de type n et le trou est piégé par l'hôte de type p. Ensuite, l'électron et le trou sont tous deux injectés dans le matériau d'accueil et celui-ci est ainsi amené dans un état excité. Ce faisant, il se produit moins de désactivation thermique et le coefficient d'exploitation du matériau d'accueil est élevé ; une émission lumineuse à haut rendement peut ainsi être obtenue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)