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1. (WO2012111616) COMPOSITE SUBSTRATE WITH PROTECTION FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/111616    International Application No.:    PCT/JP2012/053279
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 13.02.2012
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HACHIGO, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUBARA, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SATOH, Issei; (JP).
YOSHIDA, Hiroaki; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
HACHIGO, Akihiro; (JP).
MATSUBARA, Hideki; (JP)
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2011-029865 15.02.2011 JP
Title (EN) COMPOSITE SUBSTRATE WITH PROTECTION FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE AVEC FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)This composite substrate (2Q) with a protection film comprises: a support substrate (10); an oxide film (20) arranged on the support substrate (10); a semiconductor layer (30a) arranged on the oxide film (20); and a protection film (40) that protects the oxide film (20) by covering sections (20s, 20t) of the oxide film (20) that are not covered by either the support substrate (10) or the semiconductor layer (30a). The method of manufacturing a semiconductor device comprises: a process for preparing a composite substrate (2Q) with a protection film; and a process for epitaxially growing at least one functional semiconductor layer on the semiconductor layer (30a) of the composite substrate (2Q) with a protection film, said functional semiconductor layer producing a semiconductor device function. Thus, a composite substrate with a protection film and method of manufacturing a semiconductor device using the composite substrate with a protection film are provided, said composite substrate having a large effective area where a high-quality functional semiconductor layer can be epitaxially grown.
(FR)La présente invention concerne un substrat composite (2Q) doté d'un film de protection et comportant : un substrat porteur (10); un film (20) d'oxyde disposé sur le substrat porteur (10); une couche semiconductrice (30a) disposée sur le film (20) d'oxyde; et un film (40) de protection qui protège le film (20) d'oxyde en recouvrant des sections (20s, 20t) du film (20) d'oxyde qui ne sont pas recouvertes par le substrat porteur (10) ou la couche semiconductrice (30a). Le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comporte : un processus visant à préparer un substrat composite (2Q) doté d'un film de protection; et un processus visant à faire croître par épitaxie au moins une couche semiconductrice fonctionnelle sur la couche semiconductrice (30a) du substrat composite (2Q) avec film de protection, ladite couche semiconductrice fonctionnelle remplissant une fonction de dispositif à semiconducteur. Un substrat composite avec film de protection et un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur utilisant le substrat composite avec film de protection sont ainsi obtenus, ledit substrat composite présentant une surface utile importante où il est possible de faire croître par épitaxie une couche semiconductrice fonctionnelle de grande qualité.
(JA) 本保護膜付複合基板(2Q)は、支持基板(10)と、支持基板(10)上に配置された酸化物膜(20)と、酸化物膜(20)上に配置された半導体層(30a)と、酸化物膜(20)のうち支持基板(10)および半導体層(30a)のいずれにも覆われていない部分(20s,20t)を覆うことにより酸化物膜(20)を保護する保護膜(40)と、を含む。本半導体デバイスの製造方法は、保護膜付複合基板(2Q)を準備する工程と、保護膜付複合基板(2Q)の半導体層(30a)上に、半導体デバイスとしての機能を発現させる少なくとも1層の機能半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。これにより、品質の高い機能半導体層をエピタキシャル成長させることができる有効領域が大きい保護膜付複合基板およびかかる保護膜付複合基板を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)