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1. (WO2012111533) COMPOUND FOR ORGANIC TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/111533    International Application No.:    PCT/JP2012/053027
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 03.02.2012
IPC:
C07F 7/08 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY,LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
MIYATA,Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMOTO,Naoko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIYATA,Yasuo; (JP).
MATSUMOTO, Mitsuhiro;
Agent: NAKAYAMA,Tohru; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited, 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
Priority Data:
2011-029467 15.02.2011 JP
Title (EN) COMPOUND FOR ORGANIC TRANSISTOR
(FR) COMPOSÉ POUR TRANSISTOR ORGANIQUE
(JA) 有機トランジスタ用化合物
Abstract: front page image
(EN)A compound represented by formula (1) [wherein X, Y, W and Z independently represent a sulfur atom, an oxygen atom or a selenium atom; n represents 0 or 1; and P1, P2, Q1 and Q2 independently represent a group represented by formula (2) (wherein R represents a hydrogen atom, an alkyl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, or a silyl group which may be substituted), an aromatic hydrocarbon group which may be substituted, or an aromatic heterocyclic group which may be substituted, wherein at least one group selected from P1, P2, Q1 and Q2 represents the group represented by formula (2)], which can be used in a thin film that can act as an organic semiconductor active layer.
(FR)Selon l'invention, il est possible de mettre en œuvre dans des couches minces appartenant à une couche active de semi-conducteur organique, un composé représenté par la formule (1). [Dans la formule (1) : X, Y, W et Z représentent individuellement et indépendamment un atome de soufre, un atome d'oxygène ou un atome de sélénium. n représente 0 ou 1. P1, P2, Q1 et Q2 représentent individuellement et indépendamment un groupe représenté par la formule (2) (Dans la formule (2) : R représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle éventuellement substitué, un groupe aryle éventuellement substitué, ou groupe silyle éventuellement substitué.), un groupe hydrocarbure aromatique éventuellement substitué, ou un groupe hétérocyclique aromatique éventuellement substitué. Au moins un des groupes représentés par P1, P2, Q1 et Q2, consiste en un groupe représenté par la formule (2).]
(JA)式(1)[式中、X、Y、W及びZは、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を表す。nは0または1を表す。P、P、Q及びQは、それぞれ独立に、式(2)(式中、Rは、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいシリル基を表す。)で表される基、置換されていてもよい芳香族炭化水素基又は置換されていてもよい芳香族複素環基を表す。ここで、P、P、Q及びQの少なくとも1つの基は、式(2)で表される基である。]で表される化合物は、有機半導体活性層の薄膜に利用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)