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1. (WO2012111379) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/111379    International Application No.:    PCT/JP2012/051062
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 19.01.2012
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
KYONO, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIHARA, Kuniaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HACHIGO, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA, Takahisa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UENO, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIYAMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KYONO, Takashi; (JP).
ISHIHARA, Kuniaki; (JP).
HACHIGO, Akihiro; (JP).
YOSHIDA, Takahisa; (JP).
UENO, Masaki; (JP).
KIYAMA, Makoto; (JP)
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2011-029867 15.02.2011 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
(JA) 半導体デバイスおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device (5) comprises: a support substrate (60); a conductor layer (50) which is positioned upon the support substrate (60); and at least one group-III nitride semiconductor layer (200) which is positioned upon the conductor layer (50). A conductor layer-adjacent group-III nitride semiconductor layer (200c) which, of the group-III nitride semiconductor layers (200), is adjacent to the conductor layer (50), has n-type conductivity, a dislocation density of 1x107cm-2 or less, and an oxygen concentration of 5x1018cm-3 or less. Thus is provided an n-down type semiconductor device having highly crystalline semiconductor layers.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteurs (5) qui comprend : un substrat de support (60); une couche conductrice (50) qui est positionnée sur le substrat de support (60); et au moins une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III (200) qui est positionnée sur la couche conductrice (50). Une couche semi-conductrice à nitrure du groupe III (200c) adjacente à la couche conductrice qui, parmi les couches semi-conductrices à nitrure du groupe III (200), est adjacente à la couche conductrice (50), présente une conductivité de type n, une densité de dislocation égale ou inférieure à 1x107 cm-2 et une concentration en oxygène égale ou inférieure à 5x1018 cm-3. La présente invention se rapporte également à un dispositif à semi-conducteurs de type n négatif qui présente des couches semi-conductrices très cristallines.
(JA) 本半導体デバイス(5)は、支持基板(60)と、支持基板(60)上に配置された導電層(50)と、導電層(50)上に配置された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層(200)と、を含み、III族窒化物半導体層(200)のうち導電層(50)に隣接する導電層隣接III族窒化物半導体層(200c)は、n型導電性を有し、転位密度が1×107cm-2以下であり、酸素濃度が5×1018cm-3以下である。これにより、結晶性の高い半導体層を有するn-down型の半導体デバイスが提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)