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Pub. No.:    WO/2012/111257    International Application No.:    PCT/JP2012/000399
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 23.01.2012
H01L 27/148 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/341 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKASHIMA, Yoshimitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKASHIMA, Yoshimitsu; (JP)
Agent: YAMAMOTO, Shusaku; Fifteenth Floor, Crystal Tower, 2-27, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406015 (JP)
Priority Data:
2011-031009 16.02.2011 JP
(JA) 固体撮像素子および電子情報機器
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a solid state image sensor which, by applying a further reduced wiring region to a light receiving region, further decreases the size of pixels and increases the number of pixels without reduction in the light receiving sensitivity and dynamic range of the light receiving region while maintaining the light receiving area of each light receiving element. An opening part (3) is provided as an opening region for an incident light window, which is surrounded by transfer electrode wires (6 to 9) which are arranged in rows and vertically adjoining each other in a planar view and respective vertical transfer parts (5, 5) which are arranged in columns, orthogonally crossing the vertically adjoining transfer electrode wires (6 to 9) and adjoining each other in the planar view. Each of four light receiving elements (2) (two columns multiplied by two rows) is allocated within the opening part (3), and a signal charge is alternately read out from each light receiving element (2) arranged in the same row on both sides of the vertical transfer part (5) to the vertical transfer part (5) adjacent thereto, and is charge-transferred.
(FR)La présente invention concerne un capteur d'image à semi-conducteurs diminuant davantage, par application d'une zone de câblage davantage réduite sur une zone de réception de lumière, la taille des pixels et augmentant le nombre de pixels sans réduction de la sensibilité de réception de lumière et de la gamme dynamique de la zone de réception de lumière, tout en maintenant la zone de réception de lumière de chaque élément de réception de lumière. Une partie d'ouverture (3) est fournie en tant que zone d'ouverture pour une fenêtre de lumière incidente entourée par des fils d'électrode de transfert (6 à 9) disposés en rangées et verticalement contigus les uns aux autres dans une vue en plan et des parties de transfert verticales (5, 5) respectives disposées en colonnes, croisant perpendiculairement les fils d'électrode de transfert (6 à 9) verticalement contigus et contigus les uns aux autres dans la vue en plan. Chacun des quatre éléments de réception de lumière (2) (deux colonnes multipliées par deux rangées) est affecté dans la partie d'ouverture (3), et une charge de signal est lue en alternance à partir de chaque élément de réception de lumière (2) disposé dans la même rangée sur les deux côtés de la partie de transfert verticale (5) par rapport à la partie de transfert verticale (5) adjacente à celle-ci, et subit un transfert de charge.
(JA)配線領域を更に低減した領域を受光領域に当てることにより、各受光素子の受光面積を維持した状態で、受光領域の受光感度やダイナミックレンジの低減を招くことなく、更なる画素サイズの縮小を行って画素数を増加させる。 平面視で上下に隣接する行方向の転送電極配線6~9と転送電極配線6~9との間および、これらに直角に交差し、平面視で隣接する列方向の各垂直転送部5,5間で囲まれた入射光窓の開口領域としての開口部3が設けられ、開口部3内に2列×2行の4個の各受光素子2が配置され、垂直転送部5の両側に配列された同じ行の各受光素子2から交互に信号電荷がこれに隣接の垂直転送部5に読み出されて電荷転送される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)