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1. (WO2012111093) METHOD AND DEVICE FOR MEASURING CARRIER LIFETIME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/111093    International Application No.:    PCT/JP2011/053154
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 15.02.2011
IPC:
G01N 21/64 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: YSystems Ltd. [JP/JP]; Tokushima Science Center, 209-5, HIRAISHI-SUMIYOSHI, KAWAUCHI-CHO, TOKUSHIMA-SHI, Tokushima 7710134 (JP) (For All Designated States Except US).
Yves Lacroix [CA/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: Yves Lacroix; (JP)
Agent: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F, 1-21-11 Higashi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR MEASURING CARRIER LIFETIME
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR MESURER LA DURÉE DE VIE D'UNE PORTEUSE
(JA) キャリア寿命の測定方法および測定装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a method and device for measuring carrier lifetime with which the lifetime of a carrier in a sample such as a semiconductor can be measured. [Solution] Continuous light emitted by an emission laser is modulated by a modulator on the excitation side, and excitation light (14), the intensity of which changes to a rectangular pulse, is generated and fed to a semiconductor material. A carrier in a semiconductor is excited, and luminescence (24) generated by recombination is modulated by a modulator on the light-receiving side, and an attenuated ray (26) generated after an excitation period is separated from the light generated in the excitation period. This attenuated ray (26) includes information on the lifetime of the carrier in a sample. Since the attenuated ray (26) is fine light obtained in a very short time, multiple attenuated light rays (26) accumulate and are detected within the exposure time of a CCD element. The carrier lifetime can be identified by the intensity of this detected light.
(FR)[Problème] Décrire un procédé et un dispositif pour mesurer la durée de vie de porteuse avec lesquels la durée de vie d'une porteuse dans un échantillon tel qu'un semi-conducteur peut être mesurée. [Solution] Selon la présente invention, une lumière continue émise par une émission laser est modulée par un modulateur sur le côté excitation, et une lumière d'excitation (14), dont l'intensité change en une impulsion rectangulaire, est générée et appliquée à un matériau semi-conducteur. Une porteuse dans un semi-conducteur est excitée, et la luminescence (24) générée par recombinaison est modulée par un modulateur sur le côté de réception de lumière, et un rayonnement atténué (26) généré après une période d'excitation est séparé de la lumière générée dans la période d'excitation. Ce rayonnement atténué (26) comprend des informations sur la durée de vie de la porteuse dans un échantillon. Étant donné que le rayonnement atténué (26) est une lumière fine obtenue dans un temps très court, des rayonnements lumineux atténués multiples (26) s'accumulent et sont détectés dans le temps d'exposition d'un élément CCD. La durée de vie de porteuse peut être identifiée par l'intensité de la lumière détectée.
(JA)【課題】 半導体などの材料内のキャリア寿命を測定することができるキャリア寿命の測定方法および測定装置を提供する。 【解決手段】 発光レーザで発せられる連続光が励起側の変調装置で変調され、その強度が矩形波状に変化する励起光14が生成されて半導体材料に与えられる。半導体内のキャリアが励起され再結合により発せられるルミネッセンス光24が、受光側の変調装置で変調され、励起時間に発せられる光から、励起時間の後に発生する減衰光26が分離される。この減衰光26は材料内のキャリア寿命の情報を含むものである。減衰光26はきわめて短い時間に得られる微細な光であるため、CCD素子の露光時間内に、複数の減衰光26を蓄積して検知する。この検知光の強度によってキャリア寿命を知ることが可能になる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)