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1. (WO2012110522) TERAHERTZ DETECTION CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/110522    International Application No.:    PCT/EP2012/052524
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 14.02.2012
IPC:
H01L 31/08 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), G01J 5/20 (2006.01)
Applicants: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE- CNRS [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75794 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
VASSANT, Simon [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PARDO, Fabrice [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PELOUARD, Jean-Luc [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GREFFET, Jean-Jacques [FR/FR]; (FR) (For US Only).
ARCHAMBAULT, Alexandre [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MARQUIER, François [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: VASSANT, Simon; (FR).
PARDO, Fabrice; (FR).
PELOUARD, Jean-Luc; (FR).
GREFFET, Jean-Jacques; (FR).
ARCHAMBAULT, Alexandre; (FR).
MARQUIER, François; (FR)
Agent: BROCHARD, Pascale; Osha Liang 32, Avenue de l'Opéra F-75002 Paris (FR)
Priority Data:
1151195 14.02.2011 FR
Title (EN) TERAHERTZ DETECTION CELL
(FR) CELLULE DE DÉTECTION TERAHERTZ
Abstract: front page image
(EN)According to a first aspect of the invention, the invention relates to a terahertz detection cell for detecting radiations having frequencies within a given spectral detection band, said cell comprising: a polar semi-conductor crystal structured such that it forms at least one slab of crystal, said crystal (330) having a Reststrahlen band covering said spectral detection band, and comprising at least one interface with a dielectric means; coupling means obtained by the slab structure (330), each slab forming an optical antenna, enabling the resonant coupling of an interface phonon polariton (IPhP) supported by said interface and an incident radiation having a frequency within the spectral detection band; and at least one first and one second connection terminal (301, 302) that are in electrical contact respectively with a first and a second end of the interface, said ends opposing each other, and said connection terminals to be connected to an electrical reading circuit for measuring the variation of the impedance of the crystal between the opposing ends of the interface.
(FR)Selon un aspect, l'invention concerne une cellule de détection térahertz pour la détection de radiations de fréquences comprises dans une bande spectrale de détection donnée, comprenant : - un cristal semi-conducteur polaire structure pour former une ou plusieurs lames de cristal, le cristal (330) présentant une bande de Reststrahlen recouvrant ladite bande spectrale de détection et présentant au moins une interface avec un milieu diélectrique; - des moyens de couplage obtenus par la structure en lames (330), chaque lame formant une antenne optique, permettant le couplage résonant d'un phonon polariton d'interface (IPhP) supporté par ladite interface et d'une radiation incidente de fréquence comprise dans ladite bande spectrale de détection; et - au moins une première et une seconde bornes de connexion (301, 302) en contact électrique avec respectivement une première et une seconde extrémités opposées de ladite interface et destinées à être connectés à un circuit électrique de lecture pour la mesure de la variation d'impédance du cristal entre lesdites extrémités opposées de l'interface.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)