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1. (WO2012110520) TERAHERTZ MODULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/110520    International Application No.:    PCT/EP2012/052522
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 14.02.2012
IPC:
G02F 1/01 (2006.01)
Applicants: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE- CNRS [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75794 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
VASSANT, Simon [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PARDO, Fabrice [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PELOUARD, Jean-Luc [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GREFFET, Jean-Jacques [FR/FR]; (FR) (For US Only).
ARCHAMBAULT, Alexandre [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MARQUIER, François [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: VASSANT, Simon; (FR).
PARDO, Fabrice; (FR).
PELOUARD, Jean-Luc; (FR).
GREFFET, Jean-Jacques; (FR).
ARCHAMBAULT, Alexandre; (FR).
MARQUIER, François; (FR)
Agent: BROCHARD, Pascale; Osha Liang 32, avenue de l'Opéra F-75002 Paris (FR)
Priority Data:
1151189 14.02.2011 FR
Title (EN) TERAHERTZ MODULATOR
(FR) MODULATEUR TERAHERTZ
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a terahertz modulator (1) to be used in a given frequency band of use. Said modulator comprises a polar semi-conductor crystal (330) having a Reststrahlen band that covers said frequency band of use, and comprising at least one interface with a dielectric means; coupling means (330) enabling the resonant coupling of an interface phonon polariton (IPhP) supported by said interface and an incident radiation (2) having a pre-determined frequency within said band of use; and control means (22) that can modify the intensity of the coupling between said interface phonon polariton and said incident radiation (2) by modifying the dielectric function of the polar crystal in the Reststrahlen band of the polar crystal (10).
(FR)La présente invention concerne selon un aspect un modulateur téraherz (1) destiné à être utilisé dans une bande de fréquence d'utilisation donnée. Le modulateur comprend un cristal semi-conducteur polaire (330) présentant une bande de Reststrahlen recouvrant ladite bande de fréquence d'utilisation et présentant au moins une interface avec un milieu diélectrique, des moyens de couplage (330) permettant le couplage résonant d'un phonon polariton d'interface (IPh P) supporté par ladite interface et d'une radiation incidente (2) de fréquence prédéterminée comprise dans ladite bande d'utilisation et des moyens de commande (22) aptes à modifier l'intensité du couplage entre ledit phonon polariton d'interface et ladite radiation incidente (2) par modification de la fonction diélectrique du cristal polaire dans la bande de Reststrahlen du cristal polaire (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)