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1. (WO2012110157) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/110157    International Application No.:    PCT/EP2011/074164
Publication Date: 23.08.2012 International Filing Date: 28.12.2011
IPC:
H01L 27/142 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
HEDLER, Andre [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CORREIA, Stelio [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HEDLER, Andre; (DE).
CORREIA, Stelio; (DE)
Common
Representative:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2011 004 153.2 15.02.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aufweisend die Schritte: Anordnen einer transparenten leitfähigen Schicht, die als Frontkontakt der Solarzelle dient; Entfernen der transparenten leitfähigen Schicht aus einem ersten Bereich durch Laserstrahlung; Anordnen einer ersten Halbleiterschicht und einer leitfähigen Zwischenschicht; Entfernen mindestens der leitfähigen Zwischenschicht und der ersten Halbleiterschicht aus einem zweiten Bereich durch Laserstrahlung; Anordnen einer zweiten Halbleiterschicht; Entfernen der zweiten Halbleiterschicht, der leitfähigen Zwischenschicht und der ersten Halbleiterschicht aus einem dritten Bereich durch Laserstrahlung; Anordnen einer leitfähigen Schicht, die als Rückseitenkontakt der Photovoltaik-Anordnung dient; und Entfernen des Rückseitenkontakts, der zweiten Halbleiterschicht, der leitfähigen Zwischenschicht und der ersten Halbleiterschicht aus einem vierten Bereich durch Laserstrahlung, wobei der vierte Bereich getrennt vom ersten, zweiten und dritten Bereich liegt und das Entfernen im zweiten Bereich zur Unterbrechung eines Strompfades zur Vermeidung eines Leckstromes zwischen der leitfähigen Zwischenschicht und dem Rückseitenkontakt wirkt.
(EN)Method for producing a solar cell comprising the following steps: arranging a transparent conductive layer, which serves as a front contact of the solar cell; removing the transparent conductive layer from a first region by laser radiation; arranging a first semiconductor layer and a conductive intermediate layer; removing at least the conductive intermediate layer and the first semiconductor layer from a second region by laser radiation; arranging a second semiconductor layer; removing the second semiconductor layer, the conductive intermediate layer and the first semiconductor layer from a third region by laser radiation; arranging a conductive layer serving as a rear-side contact of the photovoltaic arrangement; and removing the rear-side contact, the second semiconductor layer, the conductive intermediate layer and the first semiconductor layer from a fourth region by laser radiation, wherein the fourth region is separate from the first, second and third regions and the removal in the second region has the effect of interrupting a current path for avoiding a leakage current between the conductive intermediate layer and the rear-side contact.
(FR)Procédé de fabrication d'une cellule solaire comportant les étapes suivantes : disposer une couche transparente conductrice qui sert de contact avant de la cellule solaire; enlever par rayonnement laser la couche transparente conductrice sur une première zone; disposer une première couche semi-conductrice et une couche intermédiaire conductrice; enlever par rayonnement laser au moins la couche intermédiaire conductrice et la première couche semi-conductrice d'une deuxième zone; disposer une deuxième couche semi-conductrice; enlever par rayonnement laser la deuxième couche semi-conductrice, la couche intermédiaire conductrice et la première couche semi-conductrice d'une troisième zone; disposer une couche conductrice qui sert de contact arrière à l'ensemble photovoltaïque; et enlever par rayonnement laser le contact arrière, la deuxième couche semi-conductrice, la couche intermédiaire conductrice et la première couche semi-conductrice d'une quatrième zone, cette quatrième zone étant disposée de manière séparée de la première, de la deuxième et de la troisième zone, et l'enlèvement dans la deuxième zone servant à interrompre une voie de courant pour éviter une fuite de courant entre la couche intermédiaire conductrice et le contact arrière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)