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1. (WO2012109629) LIGHT EMITTING DEVICE WITH DISLOCATION BENDING STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/109629    International Application No.:    PCT/US2012/024774
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 11.02.2012
IPC:
H01L 33/02 (2010.01)
Applicants: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1195 Atlas Road Columbia, SC 29209 (US) (For All Designated States Except US).
GASKA, Remigijus [US/US]; (US) (For US Only).
YANG, Jinwei [US/US]; (US) (For US Only).
SHUR, Michael [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GASKA, Remigijus; (US).
YANG, Jinwei; (US).
SHUR, Michael; (US)
Agent: LABATT, John, W.; LaBatt LLC PO Box 630 Valatie, NY 12184 (US)
Priority Data:
61/441,674 11.02.2011 US
13/370,470 10.02.2012 US
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICE WITH DISLOCATION BENDING STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE COMPRENANT UNE STRUCTURE DE FLEXION DE DISLOCATIONS
Abstract: front page image
(EN)A solution for reducing a number of dislocations in an active region of an emitting device is provided. A dislocation bending structure can be included in the emitting device between the substrate and the active region. The dislocation bending structure can be configured to cause dislocations to bend and/or annihilate prior to reaching the active region, e.g., due to the presence of a sufficient amount of strain. The dislocation bending structure can include a plurality of layers with adjacent layers being composed of a material, but with molar fractions of an element in the respective material differing between the two layers. The dislocation bending structure can include at least forty pairs of adjacent layers having molar fractions of an element differing by at least five percent between the adjacent layers.
(FR)L'invention concerne une solution qui permet de réduire le nombre de dislocations dans une région active d'un dispositif émetteur. Une structure de flexion de dislocations peut être incluse dans le dispositif émetteur entre le substrat et la région active. La structure de flexion de dislocations peut être configurée pour amener les dislocations à fléchir et/ou à s'annihiler avant d'atteindre la région active, par exemple en raison de la présence d'une quantité de contrainte suffisante. La structure de flexion de dislocations peut comprendre une pluralité de couches ayant des couches adjacentes composées d'un matériau, mais avec des fractions molaires d'un élément dans le matériau respectif différentes entre les deux couches. La structure de flexion de dislocations peut comprendre au moins quarante paires de couches adjacentes ayant des fractions molaires d'un élément différentes d'au moins cinq pour cent entre les couches adjacentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)