WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012109519) MAGNETIC ELEMENT WITH IMPROVED OUT-OF-PLANE ANISOTROPY FOR SPINTRONIC APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/109519    International Application No.:    PCT/US2012/024613
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 10.02.2012
IPC:
G11B 5/39 (2006.01)
Applicants: MAGIC TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 463 South Milpitas Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
JAN, Guenole [FR/US]; (US) (For US Only).
TONG, Ru Ying [US/US]; (US) (For US Only).
KULA, Witold [US/US]; (US) (For US Only).
HORNG, Cheng T. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JAN, Guenole; (US).
TONG, Ru Ying; (US).
KULA, Witold; (US).
HORNG, Cheng T.; (US)
Agent: ACKERMAN, Stephen, B.; Saile Ackerman LLC 28 Davis Avenue Poughkeepsie, NY 12603 (US)
Priority Data:
12/931,866 11.02.2011 US
Title (EN) MAGNETIC ELEMENT WITH IMPROVED OUT-OF-PLANE ANISOTROPY FOR SPINTRONIC APPLICATIONS
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE À ANISOTROPIE HORS DU PLAN AMÉLIORÉE POUR APPLICATIONS SPINTRONIQUES
Abstract: front page image
(EN)A magnetic element is disclosed wherein first and second interfaces of a free layer with an Hk enhancing layer and tunnel barrier, respectively, produce enhanced surface perpendicular anisotropy to lower switching current or increase thermal stability in a magnetic tunnel junction (MTJ). In an MTJ with a bottom spin valve configuration where the Hk enhancing layer is an oxide, the capping layer contacting the Hk enhancing layer is selected to have a free energy of oxide formation substantially greater than that of the oxide. The free layer may be a single layer or composite comprised of an Fe rich alloy such as Co20Fe60B20. With a thin free layer, the interfacial perpendicular anisotropy may dominate the shape anisotropy to generate a magnetization perpendicular to the planes of the layers.
(FR)L'invention concerne un élément magnétique, des première et seconde interfaces d'une couche libre comportant une couche d'amélioration d'anisotropie (Hk) et une barrière à effet tunnel, respectivement, produisant une anisotropie perpendiculaire de surface améliorée afin de réduire à un minimum un courant de commutation ou d'augmenter une stabilité thermique dans une jonction tunnel magnétique (MTJ). Dans une MTJ ayant une configuration à vanne de spin inférieure où la couche d'amélioration de Hk est un oxyde, la couche de coiffage en contact avec la couche d'amélioration de Hk est choisie pour avoir une énergie libre de formation d'oxyde sensiblement supérieure à celle de l'oxyde. La couche libre peut être une couche unique ou composite constituée d'un alliage riche en Fe tel que Co20Fe60B20. Avec une couche mince libre, l'anisotropie perpendiculaire interfaciale peut dominer l'anisotropie de forme pour générer une magnétisation perpendiculaire aux plans des couches. L'élément magnétique peut faire partie d'un dispositif spintronique ou peut servir de milieu de propagation dans un dispositif de déplacement de paroi de domaine.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)