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1. (WO2012109459) RECOVERY OF SILICON VALUE FROM KERF SILICON WASTE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/109459    International Application No.:    PCT/US2012/024511
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 09.02.2012
IPC:
H01B 1/04 (2006.01)
Applicants: HARIHARAN, Alleppey, V. [US/US]; (US).
RAVI, Jagannathan [US/US]; (US)
Inventors: HARIHARAN, Alleppey, V.; (US).
RAVI, Jagannathan; (US)
Agent: SCOZZAFAVA, Mary, Rose; Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP 60 State Street Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
61/462,905 09.02.2011 US
Title (EN) RECOVERY OF SILICON VALUE FROM KERF SILICON WASTE
(FR) RÉCUPÉRATION DE VALEUR DE SILICIUM DANS DES REBUTS DE COUPE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)The present invention is for the recovery of maximum silicon value of kerf silicon waste, produced during the manufacture of silicon wafers by wire saw, diamond saw and chemical mechanical polishing, as high purity metallurgical silicon. This recovery is achieved by a process scheme that effects an initial removal of minor extrinsic metallic impurities but not the major silicon compound impurities, and followed, preferentially, by a direct metallurgical process to form elemental silicon. The recovered silicon is for use as feedstock for polysilicon manufacturing, as high purity polysilicon for PV application, and in metallurgical alloy manufacture.
(FR)L'invention concerne la récupération d'une valeur maximum de silicium à partir de rebuts de coupe de silicium produits pendant la fabrication de tranches de silicium par une scie à fil hélicoïdal, une scie diamantée et un polissage chimico-mécanique, en tant que silicium métallurgique de grande pureté. Cette récupération s'obtient par un procédé consistant à extraire un minimum d'impuretés métalliques extrinsèques mineures, mais non d'impuretés de composé de silicium majeures, suivi de préférence par un procédé métallurgique direct de formation de silicium élémentaire. Le silicium récupéré s'utilise comme charge pour former du poly-silicium, en tant que poly-silicium de grande pureté pour une application PV et la fabrication d'alliages métallurgiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)