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1. (WO2012109069) PVD SPUTTERING TARGET WITH A PROTECTED BACKING PLATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/109069    International Application No.:    PCT/US2012/023474
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 01.02.2012
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
RASHEED, Muhammad M. [US/US]; (US) (For US Only).
WANG, Rongjun [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RASHEED, Muhammad M.; (US).
WANG, Rongjun; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
13/024,198 09.02.2011 US
Title (EN) PVD SPUTTERING TARGET WITH A PROTECTED BACKING PLATE
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE PVD COMPRENANT UNE PLAQUE SUPPORT PROTÉGÉE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention provide sputtering targets utilized in physical vapor deposition (PVD) and methods to form such sputtering targets. In one embodiment, a sputtering target contains a target layer disposed on a backing plate, and a protective coating layer - usually containing a nickel material - covering and protecting a region of the backing plate that would otherwise be exposed to plasma during the PVD processes. In many examples, the target layer contains a nickel-platinum alloy, the backing plate contains a copper alloy (e.g., copper-zinc), and the protective coating layer contains metallic nickel. The protective coating layer eliminates the formation of highly conductive, copper contaminants typically derived by plasma erosion of the copper alloy contained within the exposed surfaces of the backing plate. Therefore, the substrates and the interior surfaces of the PVD chamber remain free of such copper contaminants during the PVD processes.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention portent sur des cibles de pulvérisation cathodique utilisées en dépôt physique en phase vapeur (PVD) et sur des procédés pour former de telles cibles de pulvérisation cathodique. Dans un mode de réalisation, une cible de pulvérisation cathodique contient une couche de cible déposée sur une plaque support et une couche de revêtement protecteur, habituellement contenant un matériau au nickel, recouvrant et protégeant une région de la plaque support qui serait sinon exposée au plasma pendant les procédés de PVD. Dans de nombreux exemples, la couche de cible contient un alliage de nickel-platine, la plaque support contient un alliage de cuivre (par exemple du cuivre-zinc) et la couche de revêtement protecteur contient du nickel métallique. La couche de revêtement protecteur élimine la formation de contaminants à base de cuivre hautement conducteurs généralement issus de l'érosion par plasma de l'alliage du cuivre contenu dans les surfaces exposées de la plaque support. Par conséquent, les substrats et les surfaces intérieures de la chambre de PVD restent exempts de tels contaminants à base de cuivre pendant les procédés de PVD.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)