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1. (WO2012109043) APPARATUS AND METHOD FOR PROTECTION OF ELECTRONIC CIRCUITS OPERATING UNDER HIGH STRESS CONDITIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/109043    International Application No.:    PCT/US2012/023170
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 30.01.2012
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: SALCEDO, Javier, A.; (US).
WHITNEY, David, Hall; (US)
Agent: ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Priority Data:
13/025,985 11.02.2011 US
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR PROTECTION OF ELECTRONIC CIRCUITS OPERATING UNDER HIGH STRESS CONDITIONS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PROTECTION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONCTIONNANT DANS DES CONDITIONS DE CONTRAINTE ÉLEVÉES
Abstract: front page image
(EN)Apparatus and methods for electronic circuit protection under high stress operating conditions are provided. In one embodiment, an apparatus includes a substrate (47) having a first p-well (44c), a second p-well (44b) adjacent the first p-well, and an n-type region (46) separating the first and second p- wells. An n-type active area (43b) is over the first p-well and a p-type active area (42b) is over the second p-well. The n-type and p-type active areas are electrically connected to a cathode and anode of a high reverse blocking voltage (HRBV) device (40), respectively. The n-type active area, the first p- well and the n-type region operate as an NPN bipolar transistor (58a) and the second p- well, the n-type region, and the first p-well operate as a PNP bipolar transistor (53a). The NPN bipolar transistor defines a relatively low forward trigger voltage of the HRBV device and the PNP bipolar transistor defines a relatively high reverse breakdown voltage of the HRBV device.
(FR)La présente invention concerne un appareil et des procédés de protection d'un circuit électronique dans des conditions de fonctionnement de contrainte élevée. Dans un mode de réalisation, un appareil comprend un substrat (47) présentant un premier puits p (44c), un second puits p (44b) adjacent au premier puits p, et une zone de type n (46) séparant les premier et second puits p. Une zone active de type n (43b) se situe au-dessus du premier puits p et une zone active de type p (42b) se situe au-dessus du second puits p. Les zones actives de type n et de type p sont connectées électriquement à une cathode et à une anode d'un dispositif à tension de blocage en sens inverse élevée (HRBV) (40), respectivement. La zone active de type n, le premier puits p et la zone de type n fonctionnent comme un transistor bipolaire NPN (58a) et le second puits p, la zone de type n et le premier puits p fonctionnent comme un transistor bipolaire PNP (53a). Le transistor bipolaire NPN définit une tension d'amorçage avant relativement peu élevée du dispositif HRBV et le transistor bipolaire PNP définit une tension de claquage inverse relativement élevée du dispositif HRBV.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)