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1. (WO2012108901) EPITAXY OF HIGH TENSILE SILICON ALLOY FOR TENSILE STRAIN APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108901    International Application No.:    PCT/US2011/045794
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 28.07.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
YE, Zhiyuan [CN/US]; (US) (For US Only).
LI, Xuebin [CN/US]; (US) (For US Only).
CHOPRA, Saurabh [IN/US]; (US) (For US Only).
KIM, Yihwan [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YE, Zhiyuan; (US).
LI, Xuebin; (US).
CHOPRA, Saurabh; (US).
KIM, Yihwan; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/440,627 08.02.2011 US
Title (EN) EPITAXY OF HIGH TENSILE SILICON ALLOY FOR TENSILE STRAIN APPLICATIONS
(FR) ÉPITAXIE D'ALLIAGE DE SILICIUM À HAUTE RÉSISTANCE À LA TRACTION POUR DES APPLICATIONS DE DÉFORMATION DE TRACTION
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally relate to methods for forming silicon epitaxial layers on semiconductor devices. The methods include forming a silicon epitaxial layer on a substrate at increased pressure and reduced temperature. The silicon epitaxial layer has a phosphorus concentration of about 1x1021 atoms per cubic centimeter or greater, and is formed without the addition of carbon. A phosphorus concentration of about 1x1021 atoms per cubic centimeter or greater increases the tensile strain of the deposited layer, and thus, improves channel mobility. Since the epitaxial layer is substantially free of carbon, the epitaxial layer does not suffer from film formation and quality issues commonly associated with carbon-containing epitaxial layers.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des procédés pour former des couches épitaxiales de silicium sur des dispositifs à semi-conducteur. Les procédés comprennent la formation d'une couche épitaxiale de silicium sur un substrat à une pression augmentée et une température réduite. La couche épitaxiale de silicium a une concentration de phosphore d'environ 1 x 1021 atomes par centimètre cube ou plus, et est formée sans ajout de carbone. Une concentration de phosphore d'environ 1 x 1021 atomes par centimètre cube ou plus augmente la déformation de traction de la couche déposée, et donc, améliore la mobilité de canal. Étant donné que la couche épitaxiale est sensiblement exempte de carbone, la couche épitaxiale ne souffre pas de problèmes de formation et de qualité de film couramment associés à des couches épitaxiales contenant du carbone.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)